[发明专利]基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法

权利要求书

1.一种基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，根据设计规则，确定鳍片在垂直方向上的格点间距Sf以及鳍片最小宽度的容许值Wf，得到有源区的可选宽度W；

步骤2，根据设计规则，确定多晶硅宽度的容许值Wpo以及多晶硅在水平方向上的间距Spo，得到多晶硅间距Wpp，所述多晶硅间距Wpp为单元版图的宽度参考指标；

步骤3，根据设计规则，确定金属层的最小宽度Wm和间距Sm，得到金属布线轨道宽度Wv，所述金属布线轨道宽度为单元版图的高度参考指标T；

步骤4，根据单元库的设计需求确定标准单元版图高度H；

步骤5，通过仿真电路，得到速度最快的PMOS和NMOS的宽度比值R_width，结合设计规则确定单元版图结构中的中线位置；

步骤6，通过标准单元版图高度、设计规则、中线位置信息，计算得到单元驱动部分PMOS可用鳍片最大值Fp、NMOS可用鳍片最大值Fn、PMOS有源区最大宽度Wp和NMOS有源区最大宽度Wn，确定驱动部分的版图布局；

步骤7，利用仿真迭代调整标准单元逻辑部分的有源区宽度，使得标准单元的速度最佳。

2.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，在步骤1中，有源区的可选宽度W与鳍片在垂直方向上的格点间距Sf、鳍片最小宽度的容许值Wf的关系式为W＝Wf+Sf×n，其中n为正整数。

3.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，在步骤2中，多晶硅间距Wpp与多晶硅宽度的容许值Wpo、多晶硅在水平方向上的间距Spo的关系式为Wpp＝Wpo+Spo。

4.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，FinFET单元版图在水平方向上的宽度为多晶硅间距的正整数倍。

5.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，在步骤3中，金属布线轨道宽度Wv与金属层的最小宽度Wm、金属层的间距Sm的关系式为Wv＝Wm+Sm。

6.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，在步骤4中，所述标准单元版图高度为金属布线轨道宽度的倍数。

7.根据权利要求6所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，所述标准单元版图高度为金属布线轨道宽度的7～12倍。

8.根据权利要求7所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，所述标准单元版图高度与金属布线轨道宽度的比值为整数。

9.根据权利要求7所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，所述标准单元版图高度与金属布线轨道宽度的比值为非整数。

10.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，在步骤5中，仿真电路为环形振荡器电路或单元电路自身。

11.根据权利要求1所述的基于FinFET结构的高速标准单元库版图设计方法，其特征在于，在步骤5中，速度最快的PMOS和NMOS的宽度比值R_width为1.0～2.0。