[发明专利]间距可扩充立体NAND存储器

权利要求书

1.一种存储器，包含：

在一字线方向延伸的多个字线阶层，与在一通道线方向延伸的多个通道线阶层交错；及

多个数据储存阶层，介于该多个字线阶层与该多个通道线阶层之间，这些数据储存阶层包含：

各自的多个数据储存区域阵列，位于该多个字线阶层与该多个通道线阶层中相邻阶层的多条字线和多条通道线的多个交叉点上；及

各自的多个孔洞阵列，位于这些交叉点外部；

其中，该多个字线阶层中的多个字线阶层各自包含多条字线，该多条字线中的多条字线具有多个介于这些交叉点之间的区域，这些介于这些交叉点之间的区域窄于多个这些交叉点内的区域。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中该多个字线阶层中的多个字线阶层各自包含在该字线方向延伸的多条字线，具有多个空隙形成该多条字线之间的多个接缝。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中该多个通道线阶层中的多个通道线阶层各自包含在该通道线方向延伸的多条通道线，具有多个空隙形成该多条字线之间的多个接缝。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中该多个通道线阶层中的多个通道线阶层各自包含多条通道线，该多条通道线中的多条通道线具有多个介于这些交叉点之间的区域，这些介于这些交叉点之间的区域窄于多个这些交叉点内的区域。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中这些数据储存阶层包含多个电荷捕捉层。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中该多个字线阶层中的多个字线阶层各自包含多条字线，该多条字线中的多条字线的多个侧边为底切刻蚀周界，这些字线的这些侧边在该通道线方向以这些孔洞阵列中多个相邻孔洞的多个侧壁相互间隔。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中该多个通道线阶层中的多个通道线阶层各自包含多条通道线，该多条通道线中的多条通道线的多个侧边为底切刻蚀周界，这些通道线的这些侧边在该字线方向以这些孔洞阵列中多个相邻孔洞的多个侧壁相互间隔。

8.根据权利要求1所述的存储器，包含在通过这些孔洞阵列而暴露的这些数据储存区域阵列中的多个数据储存区域的多个侧边上的一介电衬垫。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中这些通道线、这些字线及这些数据储存区域阵列中的多个数据储存区域是自对准(self-aligned)。

10.一种存储器，包含：

一水平NAND存储器平面堆叠，包含：

多个字线阶层，该多个字线阶层中的多个字线阶层各自包含在一字线方向延伸的多条字线及多个空隙，这些空隙形成这些字线之间的多个接缝；

在一通道线方向延伸的多个通道线阶层，该多个通道线阶层中的多个通道线阶层各自包含在该通道线方向延伸的多条通道线及多个空隙，这些空隙形成这些通道线之间的多个接缝；及

多个电荷捕捉阶层，介于该多个字线阶层与该多个通道线阶层之间，这些电荷捕捉阶层包含位于多条对应的字线与多条对应的通道线的多个交叉点上的多个存储单元区域；以及

一孔洞阵列，延伸通过该水平NAND存储器平面堆叠的多个水平NAND存储器平面，该孔洞阵列设置于这些交叉点的外部；

其中该水平NAND存储器平面堆叠中的每一个水平NAND存储器平面包含多个存储单元，这些存储单元具有多个数据储存区域，这些数据储存区域位于该多个字线阶层与该多个通道线阶层中相邻阶层的多条字线和多条通道线的多个交叉点上；

其中该多条字线中的多条字线具有多个介于这些交叉点之间的区域，这些介于这些交叉点之间的区域窄于多个这些交叉点内的区域。

11.根据权利要求10所述的存储器，其中该多条通道线中的多条通道线具有多个介于这些交叉点之间的区域，这些介于这些交叉点之间的区域窄于多个这些交叉点内的区域。