[发明专利]一种高速自适应判决反馈均衡器

权利要求书

1.一种高速自适应判决反馈均衡器，其特征在于，该高速自适应判决反馈均衡器包括以下框图结构：偶通道Out-even、奇通道Out-odd、触发器DFF1、触发器DFF2、数据选择器MUX1、数据选择器MUX2、采样器Dp-0、采样器Dp-1、采样器Dn-0和采样器Dn-1；

其中，所述偶通道Out-even依次与所述触发器DFF1及所述数据选择器MUX2连接，所述奇通道Out-odd依次与所述触发器DFF2及所述数据选择器MUX1连接，所述触发器DFF1依次与所述数据选择器MUX1及时钟信号clk270连接，所述触发器DFF2依次与所述数据选择器MUX2及时钟信号clk90连接，所述数据选择器MUX1的0号引脚与所述采样器Dp-0连接，所述数据选择器MUX1的1号引脚与所述采样器Dn-0连接，所述数据选择器MUX2的0号引脚与所述采样器Dn-1连接，所述数据选择器MUX2的1号引脚与所述采样器Dp-1连接；

所述采样器Dp-0上设置有引脚In1、引脚dfe1及引脚clk1，所述引脚In1与端口VIN连接，所述引脚dfe1与端口+h1连接，所述引脚clk1与端口clk90连接；

所述采样器Dn-0上设置有引脚In2、引脚dfe2及引脚clk2，所述引脚In2与所述端口VIN连接，所述引脚dfe2与端口-h1连接，所述引脚clk2与所述端口clk90连接；

所述采样器Dp-1上设置有引脚In3、引脚dfe3及引脚clk3，所述引脚In3与所述端口VIN连接，所述引脚dfe3与端口-h1连接，所述引脚clk3与所述端口clk270连接；

所述采样器Dn-1上设置有引脚In4、引脚dfe4及引脚clk4，所述引脚In4与所述端口VIN连接，所述引脚dfe4与端口+h1连接，所述引脚clk4与所述端口clk270连接；

所述框图结构由以下电子元器件组成：MOS管M0、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、非门F1、非门F2、非门F3及非门F4；

所述MOS管M0的源极接地，所述MOS管M0的栅极与所述时钟信号clk连接，所述MOS管M0的漏极依次与所述MOS管M1的源极及所述MOS管M2的源极连接，所述MOS管M1的栅极与信号端DS-in连接，所述MOS管M2的栅极与信号端DS-in-n连接，所述MOS管M1的漏极依次与所述MOS管M3的源极及所述MOS管M4的源极连接，所述MOS管M2的漏极依次与所述MOS管M5的源极及所述MOS管M5的源极连接，所述MOS管M3的栅极与信号端in0-n连接，所述MOS管M4的栅极与信号端in0-p连接，所述MOS管M5的栅极与信号端in1-n连接，所述MOS管M6的栅极与信号端in1-p连接，所述MOS管M3的漏极依次与所述MOS管M5的漏极、所述MOS管M9的栅极、所述MOS管M10的栅极、所述MOS管M8的漏极、所述MOS管M11的漏极、所述MOS管M16的漏极及所述非门F1的输入端连接，所述MOS管M4的漏极依次与所述MOS管M6的漏极、所述MOS管M11的栅极、所述MOS管M8的栅极、所述MOS管M9的漏极、所述MOS管M10的漏极、所述MOS管M17的漏极及所述非门F2的输入端连接，所述MOS管M7的漏极依次与所述MOS管M8的源极及所述MOS管M9的源极连接，所述MOS管M16的栅极和所述MOS管M17的栅极均与信号端clk-n连接，所述非门F1的输出端依次与所述MOS管M12的源极及所述MOS管M13的漏极连接，所述MOS管M12的栅极与信号端clk-n连接，所述MOS管M13的栅极与信号端clk连接，所述MOS管M12的漏极与所述MOS管M13的源极分别均依次与所述非门F3的输入端及所述非门F4的输出端连接，所述非门F2的输出端依次与所述MOS管M14的源极及所述MOS管M15的漏极连接，所述MOS管M15的栅极与信号端clk-n连接，所述MOS管M14的栅极与信号端clk连接，所述MOS管M14的漏极与所述MOS管M15的源极分别均依次与所述非门F3的输出端、所述非门F4的输入端及信号端DS-out连接。