[发明专利]一种功耗可调节的连续时间线性均衡器

权利要求书

1.一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，其特征在于，包括连续时间线性均衡器电路CTLE和与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接的MOS管偏置电路Bias2，其中，所述MOS管偏置电路Bias2由A电路部分和与所述A电路部分连接的B电路部分组成，所述B电路部分由依次连接的若干子电路组成，若干所述子电路中的第一子电路依次与所述A电路部分及第二子电路连接，若干所述子电路中的第n子电路依次与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接及第n-1子电路连接；

所述A电路部分包括低频接口LB1、直流偏置电压接口V_B、MOS管M0和MOS管M1，其中，所述低频接口LB1分别与所述MOS管M1的栅极、所述MOS管M0的漏极及所述B电路部分连接，所述直流偏置电压接口V_B分别与所述MOS管M0的栅极及所述B电路部分连接，所述MOS管M0的源极与所述MOS管M1的漏极连接，所述MOS管M1的源极与所述B电路部分连接；

所述第一子电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、接口Con x1及接口Con y1，其中，所述MOS管M2的栅极依次与所述直流偏置电压接口V_B及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的漏极分别与所述低频接口LB1及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的源极与所述MOS管M3的漏极连接，所述MOS管M3的源极接地，所述MOS管M3的栅极依次与所述MOS管M4的源极及所述MOS管M5的漏极连接，所述MOS管M4的栅极与所述接口Con x1连接，所述MOS管M4的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M5的栅极与所述接口Con y1连接，所述MOS管M5的源极依次与所述MOS管M1的源极及所述第二子电路连接；

所述第二子电路包括MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、接口Con x2及接口Con y2，其中，所述MOS管M6的栅极依次与所述MOS管M2的栅极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的漏极分别与所述MOS管M2的漏极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的源极与所述MOS管M7的漏极连接，所述MOS管M7的源极接地，所述MOS管M7的栅极依次与所述MOS管M8的源极及所述MOS管M9的漏极连接，所述MOS管M8的栅极与所述接口Con x2连接，所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M9的栅极与所述接口Con y2连接，所述MOS管M9的源极依次与所述MOS管M5的源极及所述第n-1子电路连接；

所述第n子电路包括MOS管Mn、MOS管Mn+1、MOS管Mn+2、MOS管Mn+3、接口Con xn及接口Con yn，其中，所述MOS管Mn的栅极与所述MOS管M6的栅极连接，所述MOS管Mn的漏极分别与所述MOS管M6的漏极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接，所述MOS管Mn的源极与所述MOS管Mn+1的漏极连接，所述MOS管Mn+1的源极接地，所述MOS管Mn+1的栅极依次与所述MOS管Mn+2的源极及所述MOS管Mn+3的漏极连接，所述MOS管Mn+2的栅极与所述接口Con xn连接，所述MOS管Mn+2的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管Mn+3的栅极与所述接口Con yn连接，所述MOS管Mn+3的源极依次与所述MOS管M9的源极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接；

所述连续时间线性均衡器电路CTLE包括MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、电阻RL1、电阻RL2、电阻RS、电容CL1、电容CL2、电容CS、电源输入Vin、电源输出Vout及电源正极VDD，其中，所述MOS管M10的栅极依次与所述MOS管M11的栅极及所述MOS管Mn的漏极连接，所述MOS管M10的源极依次与所述MOS管M11的源极及所述MOS管Mn+3的源极连接并接地，所述MOS管M10的漏极依次与所述电容CS的一端、所述电阻RS的一端及所述MOS管M12的源极连接，所述MOS管M11的漏极依次与所述电容CS的另一端、所述电阻RS的另一端及所述MOS管M13的源极连接，所述MOS管M12的栅极与所述MOS管M13的栅极分别均与所述电源输入Vin连接，所述MOS管M12的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL1的一端及所述电容CL1的一端连接，所述MOS管M13的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL2的一端及所述电容CL2的一端连接，所述电容CL1的另一端与所述电容CL2的另一端分别均接地，所述电阻RL1的另一端与所述电阻RL2的另一端分别均与所述电源正极VDD连接。