[发明专利]一种产生圆偏振光的微纳结构在审
| 申请号： | 201910383127.9 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110095827A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B5/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微纳结构 圆偏振光 量子阱层 表面等离激元 手性结构 衬底层 金属 金属电极层 周期排列 光入射 结构层 激发 光轴 加载 叠加 发光 | ||
1.一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：包括衬底层(1)，设置于衬底层(1)上的金属微纳结构层(2)，所述金属微纳结构层(2)上方设置有量子阱层(3)，所述量子阱层(3)上方设置有金属电极层(4)；所述金属微纳结构层(2)为多个手性结构周期排列制成。
2.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述手性结构为L形手性结构，所述L形手性结构的两臂长度不同。
3.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述手性结构为L形手性结构，所述L形手性结构的两臂宽度不同。
4.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述手性结构为阿基米德螺旋线形手性结构。
5.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述手性结构为U形手性结构，所述U形手性结构的两臂长度不同。
6.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述金属微纳结构层(2)的厚度为10nm～60nm。
7.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述量子阱层(3)为GaAs或InGaAs制成。
8.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述量子阱层(3)的厚度为50nm～80nm。
9.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述金属微纳结构层(2)是由金或银或铜制成。
10.如权利要求1所述的一种产生圆偏振光的微纳结构，其特征在于：所述手性结构的排列周期为200nm～500nm。
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