[发明专利]应用于多高压源的浮动高压选择电路

权利要求书

1.应用于多高压源的浮动高压选择电路，以比较器为基础，所述比较器由PMOS管MP1、MP2构成，其中PMOS管MP1的源极接入一个高压源VDD1、栅极接入开关信号S1_N，PMOS管MP2的源极接入一个高压源VDD2、栅极接入开关信号S1，且PMOS管MP1、MP2的共漏极为选择的输出电压VDD_SEL，其特征在于：在比较器电压选择的控制开关连接一个线性平滑切换高压源的全差分放大器，所述全差分放大器由电阻R1、R2，PMOS管MP3、MP4，NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4相接构成；对应PMOS管MP1的开关控制：NMOS管MN1、MN4相接构成共源接地的一个电流镜，NMOS管MN1、MN4的共栅极与NMOS管MN4、PMOS管MP4的共漏极相连接，PMOS管MP4的栅极与比较器中的PMOS管MP2的源极相接于电压信号VSEN_2，NMOS管MN1的漏极依次串联电阻R1和比较器中PMOS管MP1的漏极并作为一个开关信号接入PMOS管MP1的栅极；对应PMOS管MP2的开关控制：NMOS管MN2、MN3相接构成共源接地的另一个电流镜，NMOS管MN2、MN3的共栅极与NMOS管MN3、PMOS管MP3的共漏极相连接，PMOS管MP3的栅极与比较器中的PMOS管MP1的源极相接于电压信号VSEN_1，NMOS管MN2的漏极依次串联电阻R2和比较器中PMOS管MP2的漏极并作为一个开关信号接入PMOS管MP2的栅极；PMOS管MP3、MP4共源接电流源，且PMOS管MP1、MP2的共漏极为选择的输出电压VDD_SEL。

2.根据权利要求1所述应用于多高压源的浮动高压选择电路，其特征在于：所述电压信号VSEN_1为电源域1的均值，所述电源域1为等值电阻并联接入PMOS管MP1源极的数个高压源VDD2N-1，N为电源域1中高压源的数量，VSEN_1=（VDD1+VDD3+…+VDD2N-1）/N。

3.根据权利要求1所述应用于多高压源的浮动高压选择电路，其特征在于：所述电压信号VSEN_1为电源域1的加权均值，所述电源域1为差值电阻并联接入PMOS管MP1源极的数个高压源VDD2N-1，N为电源域1中高压源的数量。

4.根据权利要求1所述应用于多高压源的浮动高压选择电路，其特征在于：所述电压信号VSEN_2为电源域2的均值，所述电源域2为等值电阻并联接入PMOS管MP2源极的数个高压源VDD2N，N为电源域2中高压源的数量，VSEN_2=（VDD2+VDD4+…+VDD2N）/N。

5.根据权利要求1所述应用于多高压源的浮动高压选择电路，其特征在于：所述电压信号VSEN_2为电源域2的加权均值，所述电源域2为差值电阻并联接入PMOS管MP2源极的数个高压源VDD2N，N为电源域2中高压源的数量。