[发明专利]磁阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：

基底，包含磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及逻辑区域；

MTJ，设于该MTJ区域上，其中该MTJ的上视剖面包含一圆形；以及

第一金属内连线，设于该MTJ上，其中该第一金属内连线的上视剖面包含一平椭圆，重叠该圆形。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该平椭圆包含：

第一切线(tangent line)，沿着第一方向延伸；以及

第二切线，沿着该第一方向延伸，其中该第一切线以及该第二切线平行。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该平椭圆包含：

第一曲线，设于该圆形一侧并连接该第一切线以及该第二切线；以及

第二曲线，设于该圆形另一侧并连接该第一切线以及该第二切线。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该平椭圆包含短轴，沿着第二方向延伸且该短轴相对于该圆形直径的比例大于0.7以及小于1.3。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一方向垂直于该第二方向。

6.如权利要求2所述的半导体元件，其中该平椭圆包含一长轴，沿着该第一方向延伸且该长轴相对于该圆形直径的比例大于2以及小于3.3。

7.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

第二金属内连线，设于该逻辑区域，其中该第二金属内连线的上视剖面包含一矩形。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一金属内连线以及该第二金属内连线位于同一层上。