[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有第一区和第二区的衬底；

栅电极，其堆叠以在所述第一区中在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此隔开，所述栅电极在所述第二区中在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸不同的长度；

第一分离区，其排列在所述第一区和所述第二区中，以穿过所述栅电极，以在所述第二方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此隔开；

第二分离区，其排列在所述第一分离区之间，以穿过所述栅电极和在所述第二方向上延伸，所述第二分离区的一些部分在所述第二区中在所述第二方向上彼此隔开；以及

绝缘区，其在所述第三方向上延伸，以将所述栅电极中的至少一个分离为在所述第二方向上彼此邻近的两部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二分离区排列为在所述第二方向上彼此隔开，同时栅极连接区介于所述第二分离区之间，并且所述绝缘区与所述栅极连接区间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘区在所述第二区中，并且在所述第一区与所述栅极连接区中的最靠近所述第一区的栅极连接区之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极中的最下面的栅电极在所述第二方向上通过所述绝缘区分离，并且在所述第三方向上通过所述第二分离区中的一个第二分离区分离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘区包括在所述第三方向上按照直线排列的多个绝缘区。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘区包括在所述第三方向上按照z字形图案排列的多个绝缘区。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘区的在所述第三方向上的侧表面与所述第一分离区和所述第二分离区中的至少一个接触。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二分离区在一对所述第一分离区之间在所述第三方向上彼此隔开以排列在多个行中。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二分离区包括：

第二中心分离区，其按照单一形式排列在所述第一区中，并且在所述第二区中排列为在直线上彼此隔开，以及

第二辅助分离区，其仅排列在所述第二区中，所述绝缘区在从所述第一区延伸的所述第一分离区与所述第二中心分离区之间。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极的下栅电极在所述第二方向上延伸得比所述栅电极的上栅电极更长，以提供接触区，并且所述半导体装置还包括连接至所述接触区中的所述栅电极的接触插塞。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：

所述衬底的所述第二区包括在所述第一区的相对侧部上的两个第二区，

所述绝缘区在所述两个第二区中的第一个上，并且

所述栅电极中的通过所述绝缘区分离的至少一个栅电极连接至所述两个第二区中的第二个上的与所述绝缘区间隔开的接触插塞。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述绝缘区在所述接触区中的至少一个的下部上。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一分离区和所述第二分离区具有相同的结构。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括上绝缘区，所述上绝缘区在所述第二方向上延伸以分离所述栅电极中的布置在所述栅电极的顶部的至少一个栅电极，并且与所述第二分离区的一部分按照直线布置。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述绝缘区具有在平面内与所述上绝缘区重叠的区。