[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层的图形和公共电极的图形，所述有源层的图形包括：叠加设置的透明导电图形和半导体图形，所述半导体图形位于所述透明导电图形远离所述衬底基板的一侧，且所述半导体图形完全覆盖所述透明导电图形；

所述在衬底基板上形成有源层的图形和公共电极的图形之前还包括：

在所述衬底基板上依次形成栅金属层图形和覆盖所述栅金属层图形的栅极绝缘层，所述栅金属层图形包括栅电极和第一导电图形；

其中，形成所述栅极绝缘层之后，在所述栅极绝缘层上形成所述有源层的图形和所述公共电极的图形；

形成源漏金属层，所述源漏金属层包括第一电极、第二电极和第二导电图形，所述第一电极和第二电极均与所述半导体图形接触；

形成第一钝化层；

形成树脂层；

形成第二钝化层；

形成像素电极，所述像素电极通过贯穿所述第二钝化层、所述树脂层、所述第一钝化层的过孔，与所述源漏金属层的第二电极和所述第二导电图形连接，通过贯穿所述第二钝化层、所述树脂层、所述第一钝化层和所述栅极绝缘层的过孔与所述第一导电图形连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述公共电极的图形和所述透明导电图形通过一次构图工艺形成。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述公共电极的图形和所述透明导电图形采用透明导电氧化物材料形成。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电氧化物材料包括以下任意两种或两种以上的氧化物的混合物：In的氧化物、Sn的氧化物、Zn的氧化物、Ga的氧化物；

或者，所述透明导电氧化物材料为poly-ITO或IZO。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电氧化物掺杂有以下任意一种或两种金属：Ca、Ba、Mg。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体图形采用氧化物半导体材料形成。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；

设置在所述衬底基板上的有源层的图形和公共电极的图形，所述有源层的图形包括：叠加设置的透明导电图形和半导体图形，所述半导体图形位于所述透明导电图形远离所述衬底基板的一侧，且所述半导体图形完全覆盖所述透明导电图形，所述公共电极的图形和所述透明导电图形同层同材料；

还包括：

栅金属层图形和栅极绝缘层，所述栅金属层图形设在所述衬底基板上，所述栅金属层图形包括栅电极和第一导电图形，所述栅极绝缘层设在所述衬底基板上且覆盖所述栅金属层图形，所述有源层的图形和所述公共电极的图形分别设在所述栅极绝缘层上；

源漏金属层，所述源漏金属层包括第一电极、第二电极和第二导电图形，所述第一电极和第二电极均与所述半导体图形接触；

第一钝化层，设在所述栅极绝缘层上且覆盖所述源漏金属层、所述公共电极的图形与所述半导体图形；

设置于所述第一钝化层上的树脂层；

设置于所述树脂层上的第二钝化层，所述树脂层位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间；

像素电极，所述像素电极通过贯穿所述第二钝化层、所述树脂层、所述第一钝化层的过孔，与所述源漏金属层的第二电极和所述第二导电图形连接，通过贯穿所述第二钝化层、所述树脂层、所述第一钝化层和所述栅极绝缘层的过孔与所述第一导电图形连接。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7中所述的阵列基板。