[发明专利]一种多单晶硅切割渣熔炼方法在审
申请号: | 201910384800.0 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110243177A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 羊实;庹开正 | 申请(专利权)人: | 永平县泰达废渣开发利用有限公司 |
主分类号: | F27B14/06 | 分类号: | F27B14/06;F27B14/08;F27B14/20 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 张严芳 |
地址: | 672600 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔炼 单晶硅切割 硅粉 收率 抽气装置 惰性气体 感应加热 硅熔融液 吸尘装置 不均匀 感应炉 关闭盖 硅切割 石墨板 飞溅 出料 盖体 结壳 炉顶 起炉 熔渣 投料 遮盖 氧气 | ||
1.一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:启动提升装置提起盖体(1),向坩埚(3)中加入硅切割渣;
步骤2:启动提升装置使其下降,将盖体(1)盖上,调节石墨板(4)与所述坩埚(3)接触;
步骤3:开启感应线圈进行感应加热,开启底部的气阀(17),开始通惰性气体;
步骤4:在熔炼温度为1500-1700℃的条件下熔炼1.5-2.0h;
步骤5:停止感应线圈加热和通气,起炉出料;
所述石墨板(4)上设置多个通孔。
2.根据权利要求1所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,所述步骤2中的石墨板(4)的底部垂直设置有凸杆(6)。
3.根据权利要求2所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,连接柱(5)的上端连接驱动电机(13),所述驱动电机(13)安装在横柱(7)上。
4.根据权利要求2或3所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,在所述步骤4的熔炼过程中,间隔启动提升装置,使得石墨板(4)间歇上升下降,对熔融硅表面的熔渣进行扰动。
5.根据权利要求4所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,在所述石墨板(4)下降穿入硅熔融液中时,开启驱动电机(13),驱动石墨板(4)转动。
6.根据权利要求2、3或5任一项所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,所述凸杆(6)包括石墨芯轴和氧化铝陶瓷壳体。
7.根据权利要求1-3或5任一项所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气或者氦气。
8.根据权利要求1-3或5任一项所述的一种多单晶硅切割渣熔炼方法,其特征在于,在起炉出料前10-15min关闭气阀(17),停止通入惰性气体。
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