[发明专利]一种太阳能电池片的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910384925.3 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110289213A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 郭金城 | 申请（专利权）人： | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 谢新萍 |
| 地址： | 213000 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池片 刻蚀 刻蚀液 冷冻机 水膜 太阳能电池技术 厚度稳定性 刻蚀过程 湿法刻蚀 硝酸用量 有效地 补加 功耗 管控 光伏 配液 硫酸 配制 自制 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能电池片的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法的具体步骤如下：
步骤1：在湿法刻蚀机(RENA)上料前通过自制的铺水膜装置使硅片表面被去离子水覆盖，并保证所形成的水膜厚度控制在0.8-1mm；
步骤2：调整刻蚀槽内各道滚轮的水平，水平控制误差不超过0.5mm；
步骤3：将刻蚀液加入刻蚀槽内；
步骤4:将待刻蚀硅片放入刻蚀槽内进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的刻蚀方法，其特征在于，步骤3所述的刻蚀液按照硝酸、氢氟酸和水的体积比为5-8：1:3.7进行配比制成。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的刻蚀方法，其特征在于，步骤3所述的刻蚀液按照硝酸、氢氟酸和水的体积比为8：1:3.7进行配比制成。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的刻蚀方法，其特征在于，步骤4所述的刻蚀过程中的反应温度设置为20-30℃。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的刻蚀方法，其特征在于，步骤4所述刻蚀过程中的反应温度设置为30℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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