[发明专利]一种计算光刻建模方法及装置有效
申请号: | 201910385455.2 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110262191B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 崔绍春 | 申请(专利权)人: | 墨研计算科学(南京)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06F30/20 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 计算 光刻 建模 方法 装置 | ||
1.一种计算光刻建模方法,其特征在于,所述方法包括:
获取测试图形包含的图形单元的类型,其中,所述测试图形是指用于测试的掩模版图形;
根据所述图形单元的类型,确定光学模块组,其中,所述光学模块组由多个光学模块组成;
根据所述光学模块组,获取物理光学模型的参数;
根据所述光学模块组以及所述测试图形,计算所述光学模块组在光刻胶上的理想光强分布,所述理想光强分布包括每一个所述光学模块在所述光刻胶上的理想光强分布;
根据所述理想光强分布以及所述光学模块组在所述光刻胶上激发的光化学反应,获取光化学模型的参数;
获取所述光刻胶发生光化学反应的阈值条件,并根据所述阈值条件以及所述理想光强分布,模拟所述测试图形在所述光刻胶上形成的边界位置;
获取所述测试图形的关键尺寸测量数据,以及根据所述边界位置,获取所述测试图形的关键尺寸仿真数据;
若所述关键尺寸测量数据与所述关键尺寸仿真数据之间的拟合误差不大于预设的容许误差,则根据所述物理光学模型的参数以及所述光化学模型的参数,建立计算光刻模型,所述计算光刻模型包括物理光学模型以及光化学模型;
其中,所述根据所述图形单元的类型,确定光学模块组,包括:
根据所述图形单元的类型,将所述测试图形进行分类;
获取每一类测试图形在所述测试图形中所占的比重;
确定所述每一类测试图形对应的光学模块;
根据所述每一类测试图形在所述测试图形中所占的比重,确定所述每一类测试图形对应的光学模块的权重系数;
将所述每一类测试图形对应的光学模块,按照各自的权重系数进行组合,确定所述光学模块组。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述拟合误差大于所述预设的容许误差,则根据牛顿迭代法,重新获取所述物理光学模型的参数以及所述光化学模型的参数,对所述计算光刻模型进行优化。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述物理光学模型的参数包括每一个所述光学模块对应的光学参数;
其中,所述每一个光学模块对应的光学参数包括:照明光源参数、光瞳透镜参数以及成像深度参数。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光化学模型的参数包括每一个所述光学模块在所述光刻胶上激发的光化学反应参数;
其中,所述每一个光学模块在所述光刻胶上激发的光化学反应参数包括:所述光学模块的权重系数、所述光学模块的理想光强分布扩散项的权重系数、高斯函数的标准差以及拉盖尔多项式的阶次。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,
通过以下公式计算所述边界位置,所述边界位置为所述光学模块组基于所述测试图形在所述光刻胶上形成的光阻像的坐标集合:
其中,i表示第i个光学模块;ci表示所述第i个光学模块的权重系数;Ri(xk,yk)表示基于所述测试图形,所述第i个光学模块在所述光刻胶上形成的光阻像;(xk,yk)表示基于所述测试图形,所述第i个光学模块在所述光刻胶上形成的光阻像的坐标;T表示所述光刻胶发生光化学反应的阈值条件。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
基于所述测试图形,所述第i个光学模块在光刻胶上形成的光阻像为:
其中,j表示所述第i个光学模块的理想光强分布的第j个扩散项,lj表示所述第i个光学模块的理想光强分布的第j个扩散项的权重系数,Ii(x,y)表示所述第i个光学模块在所述光刻胶上的理想光强分布,表示高斯拉盖尔基函数,sj表示所述高斯函数的标准差,pj表示所述拉盖尔多项式的阶次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于墨研计算科学(南京)有限公司,未经墨研计算科学(南京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910385455.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制作方法
- 下一篇:制版装置及制版方法