[发明专利]一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910386492.5 申请日: 2019-05-09
公开(公告)号: CN110156473A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 刘守法;豆素勤;吴松林;马世臣;王新元 申请(专利权)人: 西京学院
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B41/85;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/66;H01M10/052
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 马超前
地址: 710100 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 纳米陶瓷 球体 中空 包覆的 保温 介孔纳米球 去除 制备 循环稳定性 空气氛围 三聚氰胺 电极 比容量 粒径 电池
【权利要求书】:

1.一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法,其特征在于,该方法包含:

(1)将粒径为70~80nm的SiO2介孔纳米球在500~570℃保温去除杂质,将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中,在空气氛围下于500~570℃保温,采用KOH溶液去除SiO2,得到中空C3N4纳米陶瓷球体;

(2)将所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合,于150~180℃保温,获得S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体。

2.根据权利要求1所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述SiO2介孔纳米球与三聚氰胺的质量比为5:8~12;所述SiO2介孔纳米球的内外径之比为(1~1.5):3。

3.根据权利要求1所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述SiO2介孔纳米球在500~570℃保温10~15h;所述三聚氰胺和SiO2介孔纳米球的混合物在500~570℃保温4~6h;在步骤(2)中,所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合后于150~180℃保温10~15h。

4.根据权利要求1所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述KOH溶液的浓度为8mol/mL,将三聚氰胺和SiO2介孔纳米球的混合物经保温后于KOH溶液中浸泡22~25h。

5.一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体,其特征在于,S包覆在中空C3N4纳米陶瓷球体上,所述中空C3N4纳米陶瓷球体的外径为70~80nm。

6.一种中空C3N4纳米陶瓷球体,其特征在于,采用SiO2介孔纳米球与三聚氰胺焙烧获得,所述SiO2介孔纳米球的粒径为70~80nm。

7.一种电池正极材料,其特征在于,该正极材料包含:如权利要求5所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体、导电剂超级P碳、粘结剂聚偏氟乙烯和N-甲基吡咯烷酮。

8.根据权利要求7所述的电池正极材料,其特征在于,所述的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体、导电剂超级P碳、粘结剂聚偏氟乙烯和N-甲基吡咯烷酮的重量比为15~17:2:1:1。

9.一种电池正极,其特征在于,该正极采用如权利要求7所述的电池正极材料作为正极活性材料,采用铝箔作为基板。

10.一种锂硫电池,其特征在于,该电池采用如权利要求7所述的电池正极,金属锂箔作为负极,微孔聚丙烯膜作为隔膜,LiTFSI/EC+DEC作为电解液。

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