[发明专利]一种高线性低谐波的射频开关电路结构

权利要求书

1.一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：将N个场效应晶体管层叠串联，在每个场效应晶体管的体区(B)和漏区(D)之间接出一个线性电容C_S，并在体区(B)和源区(S)之间接一个相同的线性电容C_S。

2.根据权利要求1所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：所述N个场效应晶体管的层叠串联，具体为：将N个场效应晶体管的栅区(G)、体区(B)分别联在一起，第N-1个场效应晶体管的源区(S)与第N个场效应晶体管的漏区(D)相连。

3.根据权利要求2所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：在每个场效应晶体管的栅区(G)和体区(B)分别接出第一大电阻R_G和第二大电阻R_B；第一大电阻R_G的一端连接场效应晶体管的栅区(G)，另一端连接于栅区电源V_G；第二大电阻R_B的一端连接场效应晶体管的体区(B)，另一端连接于体区电源V_B；栅区电源V_G和体区电源V_B均为一个，栅区电源V_G和体区电源V_B分别为N个场效应晶体管的栅区(G)和体区提供偏置电压。

4.根据权利要求3所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：所述第一大电阻R_G和第二大电阻R_B的电阻为几至几十千欧姆。

5.根据权利要求4所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：每个场效应晶体管的漏区(D)和源区(S)之间接一个漏源电阻R_DS。

6.根据权利要求5所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：所述漏源电阻R_DS为线性漏源电阻。

7.根据权利要求6所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：所述线性漏源电阻R_DS的电阻为几至几十千欧姆。

8.根据权利要求1所述的一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：所述线性电容C_S的值设置为几十fF。