[发明专利]跨阻放大器

权利要求书

1.一种跨阻放大器电路，其特征在于，包括：

一基本跨阻放大器，所述基本跨阻放大器包括一对共源极的第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，以及跨接电阻；所述第一NMOS晶体管的栅极与第一PMOS晶体管的栅极连接并作为整个跨阻放大器电路的输入端，所述第一NMOS晶体管的漏极与第一PMOS晶体管的漏极连接，所述跨接电阻连接在所述栅极和所述漏极之间，所述第一PMOS晶体管的源极接电源，所述第一NMOS晶体管的源极接地；

一增益放大器，所述增益放大器包括一对共源极的第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管；所述第二NMOS晶体管的栅极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的漏极连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与第二PMOS晶体管的漏极连接并作为整个跨阻放大器电路的输出端，所述第二PMOS晶体管的源极接电源，所述第二NMOS晶体管的源极接地；

一偏置电路，所述偏置电路包括一个运放、一第三NMOS管以及一对共源极的第四NMOS晶体管和第四PMOS晶体管，所述第三NMOS管的栅极接所述运放的输出，漏极接整个跨阻放大器电路的输入端，源极接地；所述运放的正向输入端接所述整个跨阻放大器电路的输入端，所述运放的反向输入端接参考偏置电压，所述第四NMOS晶体管的栅极与第四PMOS晶体管的栅极连接，所述第四NMOS晶体管的漏极与第四PMOS晶体管的漏极连接并输出参考偏置电压，所述第四PMOS晶体管的源极接电源，所述第四NMOS晶体管的源极接地；

所述偏置电路为所述基本跨阻放大器提供合适的偏置电压，所述跨阻放大器电路的输入电流信号通过所述基本跨阻放大器输出给所述增益放大器，再经所述增益放大器进一步放大后输出。

2.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的基本跨阻放大器中的所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管与跨接电阻构成自偏置电路。

3.根据权利要求1或2所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的跨接电阻包括一可调电阻。

4.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的偏置电路还包括一低通滤波器，用于对输入到运放正向输入端的信号进行低通滤波。

5.根据权利要求4所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的低通滤波器为RC低通滤波器。

6.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的增益放大器中的所述的第二NMOS晶体管与第二PMOS晶体管的尺寸宽长比，与所述基本跨阻放大器中的所述第一NMOS晶体管与所述第一PMOS晶体管的尺寸宽长比相同。

7.根据权利要求3所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的增益放大器中的所述的第二NMOS晶体管与第二PMOS晶体管的尺寸宽长比，与所述基本跨阻放大器中的所述第一NMOS晶体管与所述第一PMOS晶体管的尺寸宽长比相同。

8.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的偏置电路中的所述第四NMOS晶体管与所述第四PMOS晶体管尺寸宽长比，与所述基本跨阻放大器中的第一NMOS晶体管与第一PMOS晶体管尺寸宽长比相同。

9.根据权利要求3所述的跨阻放大器电路，其特征在于，所述的偏置电路中的所述第四NMOS晶体管与所述第四PMOS晶体管尺寸宽长比，与所述基本跨阻放大器中的第一NMOS管晶体与第一PMOS晶体管尺寸宽长比相同。