[发明专利]一种高频宽带放大器在审
申请号: | 201910386522.2 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110086436A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 黄颋;李彧 | 申请(专利权)人: | 南京牛芯微电子有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/48;H03F3/193;H03F3/195;H03G3/30 |
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地址: | 211000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频宽带放大器 宽带放大器电路 高增益放大器 宽带放大器 负载电路 高频宽带 开关电阻 电容 大带宽 改进型 高增益 共源极 共栅极 可调和 源电感 噪声 集成电路 带宽 | ||
本发明公开了一种宽带放大器电路,包括一个共源极的NMOS高增益放大器,和cascode共栅极NMOS晶体管与开关电阻、电容构成的改进型有源电感高频宽带负载电路。本发明宽带放大器具有高增益、大带宽且带宽可调和噪声低的特点,同时实现面积小,特别适合集成电路。
技术领域
本发明涉及一种适用于高频宽带通信系统的宽带低噪声放大器。
背景技术
在现代光纤通信技术中,通信速率往往是Gbps,甚至超过100Gbps,对超宽带放大器的需求提出较高挑战。另外,在现代无线通信中,载波频率也越来越高,比如在5G无线通信标准中,载波频率高达6GHz,甚至28GHz,其信道带宽也高达百兆,同样也需要高频宽带放大器。所以对于现代通信系统,针对高频宽带放大器的需求和研究越来越多,也越来越深入,基于此本发明提出了一种新型高频宽带低噪声放大器,同时又结合了适应集成电路面积要求小的特点。
请参阅图1,这是一般放大器的基本结构示意图。电阻R0和MOS管N0漏极寄生电容构成了输出负载,由于RC的低通特性,限制了放大器的高频增益和带宽。
请参阅图2,这是传统高频宽带放大器,负载通过增加电感的峰值技术(peeking)来抵消寄生电容的影响,从而拓展带宽,但是由于在集成电路中无源电感的面积通常都比较大,故这种方法使得成本大幅增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种新型的实现面积小,高频宽带放大器,同时又具有较低的噪声。
为解决上述技术问题,本发明高频宽带放大器包括一个共源极的NMOS高增益放大器,和cascode共栅极NMOS晶体管与开关电阻、电容构成的改进型有源电感高频宽带负载电路。
附图说明
图1是一般放大器结构示意图;
图2是传统高频宽带放大器结构示意图;
图3是一种有源电感的基本结构示意图;
图4是图3有源电感的小信号等效电路;
图5是本发明高频宽带放大器的电路详图。
图6是本发明高频宽带放大器的结构框图。
图中附图标记说明:
以x表示自然数,Nx为NMOS晶体管;Px为PMOS晶体管;Cx为电容;Rx为电阻。
具体实施方式
请参阅图5,本发明高频宽带放大器由Gm跨导放大器和改进型有源电感负载模块组成。N3是共源极接法,提供Gm跨导,栅极接信号输入,漏极接N4的源极。N4是cascode共栅极放大器, 其栅极接两组开关电阻,P0和R3是一组,由P0栅极控制电压bit<1>控制,P1和R2是另一组,由P1栅极控制电压bit<0>控制。N4的栅极和源极之间跨接一个小电容C0。N4和两组开关电阻及电容C0一起组成了改进型有源电感负载模块。
常见的一种有源电感请参阅图3,N5是NMOS有源器件,其栅极通过R6连接漏极,一般接电源avdd。其小信号电原理图请参阅图4,Gm是N5的跨导,Cgs是N5的栅、源极间电容,Vgs是栅、源极间电压,Rg是栅极电阻(图3中的R6),Gm与Vgs的乘积构成了其等效受控电流源。通过这个小信号等效模型可以得到有源电感的阻抗为:
Zin = (1+sRgCgs)/(Gm+sCgs)
从而得到等效电感和等效串联电阻分别为:
L = (Rg/wT-1/GmwT)/(1+(w/wT)2)
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