[发明专利]一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述抗蚀剂下层膜组合物含有抗蚀剂下层膜单体、聚合物以及溶剂，所述抗蚀剂下层膜单体具有式(1)所示的结构：

式(1)中，Ar₁表示碳原子数为6-30的芳基，R₁表示碳原子数为6-30的芳基；

所述聚合物具有式(2)所示的结构：

其中，R₂为氢，n为1-200的整数；

Ar₂选自化学式2-1～2-3中的至少一种：

化学式2-3中的R₃为氢，化学式2-1～2-3中的表示与分子中其它结构单元键合的键。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，Ar₁选自如下组(1)所列基团中的至少一种：

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述抗蚀剂下层膜单体选自如下化学式1-1～化学式1-8中的至少一者：

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述聚合物与所述抗蚀剂下层膜单体的重量比为9:1-1:9；以所述抗蚀剂下层膜组合物的总重量为基准，所述聚合物和抗蚀剂下层膜单体的总含量为4-25wt％。

5.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述聚合物与所述抗蚀剂下层膜单体的重量比为9:1-1:9；以所述抗蚀剂下层膜组合物的总重量为基准，所述聚合物和抗蚀剂下层膜单体的总含量为4-25wt％。

6.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、乳酸乙酯、乳酸丁酯和环己酮中的至少一种。

7.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、乳酸乙酯、乳酸丁酯和环己酮中的至少一种。

8.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述抗蚀剂下层膜组合物还含有交联剂、催化剂和表面活性剂中的至少一种。

9.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜组合物，其特征在于，所述抗蚀剂下层膜组合物还含有交联剂、催化剂和表面活性剂中的至少一种。

10.一种图案形成方法，其特征在于，该图案形成方法包括以下步骤：

在基板上形成材料层；

将权利要求1-9中任意一项所述的抗蚀剂下层膜组合物施加在所述材料层上并进行热处理，以形成抗蚀剂下层膜；

在所述抗蚀剂下层膜上形成含硅薄层；

在所述含硅薄层上形成光刻胶抗蚀层；

将所述光刻胶抗蚀层曝光并显影以形成光刻胶图案；

使用所述光刻胶图案选择性去除部分所述含硅薄层和所述抗蚀剂下层膜以暴露所述材料层的一部分；

刻蚀所述材料层的暴露部分。