[发明专利]一种硬掩膜单体和组合物及图案形成方法

权利要求书

1.一种硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜组合物含有硬掩膜单体、聚合物以及溶剂；所述硬掩膜单体具有式(1)所示的结构：

式(1)中，Ar₁和Ar₂各自独立地选自如下组(1)所列基团中的至少一种，m为1-4的整数；所述聚合物的结构单元选自如下化学式2-1～化学式2-6中的至少一者：

2.根据权利要求1所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜单体选自如下化学式1-1～化学式1-9中的至少一者：

3.根据权利要求1所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述聚合物的重均分子量为400-5000，多分散度为1.5-2.5。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜单体与所述聚合物的重量比为9:1-1:9；以所述硬掩膜组合物的总重量为基准，所述硬掩膜单体和聚合物的总含量为4-25wt％。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、乳酸乙酯、乳酸丁酯和环己酮中的至少一种。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜组合物还含有交联剂、催化剂和表面活性剂中的至少一种。

7.一种图案形成方法，其特征在于，该图案形成方法包括以下步骤：

在基板上形成材料层；

将权利要求1-6中任意一项所述的硬掩膜组合物施加在所述材料层上并进行热处理，以形成硬掩膜；

在所述硬掩膜上形成含硅薄层；

在所述含硅薄层上形成光刻胶抗蚀层；

将所述光刻胶抗蚀层曝光并显影以形成光刻胶图案；

使用所述光刻胶图案选择性去除部分所述含硅薄层和所述硬掩膜以暴露所述材料层的一部分；

刻蚀所述材料层的暴露部分。

8.根据权利要求7所述的图案形成方法，其中，将所述硬掩膜组合物施加在所述材料层上的方式为旋涂法。