[发明专利]氧化物的原子层蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻基底的方法，包括：

提供包括硅氧化物的第一层，所述第一层相对于第二层可被选择性蚀刻；

将所述第一层暴露于包括四氟化碳(CF₄)的第一等离子体以对所述第一层的至少表面进行改性以形成经改性的表面层，与所述第一层的剩余部分相比，所述经改性的表面层富含硅；以及

将所述经改性的表面层暴露于包括氢(H₂)的第二等离子体，所述包括H₂的等离子体去除所述经改性的表面层的至少一部分，

其中，所述第一等离子体和所述第二等离子体的组合使用减小了所述第一层的厚度的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将所述第一层暴露于包括CF₄的所述第一等离子体以及将所述经改性的表面层暴露于包括H₂的所述第二等离子体的多个循环。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是自对准接触应用的一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是鳍片露出应用的一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是氧化物芯模抽除应用的一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是硅氧化物间隔物修整应用的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是硅氧化物衬料蚀刻应用的一部分。

8.一种用于蚀刻基底的方法，包括：

提供包括硅氧化物的第一层；以及

执行原子层蚀刻工艺以蚀刻所述第一层，所述原子层蚀刻工艺包括多个如下循环：(1)包括第一等离子体的表面改性步骤，所述第一等离子体包括四氟化碳(CF₄)；以及(2)所述表面改性步骤之后的去除步骤，所述去除步骤包括第二等离子体，所述第二等离子体包括氢(H₂)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是自对准接触应用的一部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是鳍片露出应用的一部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是氧化物芯模抽除应用的一部分。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是硅氧化物间隔物修整应用的一部分。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，用于蚀刻所述基底的所述方法是硅氧化物衬料蚀刻应用的一部分。

14.一种用于减小基底上的硅氧化物层的厚度的方法，包括：执行至少一个如下循环：(a)将所述硅氧化物层暴露于全氟烃等离子体以对所述硅氧化物基底的表面进行改性；然后(b)将步骤(a)的产物暴露于单质氢(H₂)等离子体以去除在步骤(a)中改性的表面的至少一部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法是自对准接触应用的一部分。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法是鳍片露出应用的一部分。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法是氧化物芯模抽除应用的一部分。