[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本公开涉及半导体器件及其形成方法，所述方法包括：在碳化硅外延层形成第一介质层；通过第一介质层对碳化硅外延层进行第一剂量及第一能量的第一离子注入，形成半导体器件的结型场效应晶体管JFET注入区域；通过第一介质层及JFET注入区域形成半导体器件的体区域及源区域；在第一介质层上依次形成第二介质层及光刻胶层；对光刻胶层及第二介质层进行光刻处理，形成P型延伸PET注入区域；通过PET注入区域进行第二剂量及第二能量的第二离子注入，形成半导体器件的PET区域；利用JFET注入区域、体区域、源区域及PET区域形成半导体器件。本公开可以减少形成半导体器件的工艺流程，节约制造半导体器件的成本。

技术领域

本公开涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

高压大电流半导体器件(例如垂直双扩散金属氧化物晶体管VDMOS和横向扩散金属氧化物晶体管LDMOS)因其优异的性能被大量应用在工业生产中，然而，相关技术生产高压大电流半导体器件的工艺流程复杂，工艺层次较多，复杂的工艺流程、较多的工艺层次导致了目前高压大电流半导体器件的制造成本过高。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

在碳化硅外延层形成第一介质层；

通过所述第一介质层对碳化硅外延层进行第一剂量及第一能量的第一离子注入，形成半导体器件的结型场效应晶体管JFET注入区域；

通过所述第一介质层及所述JFET注入区域形成半导体器件的体区域及源区域；

在所述第一介质层上依次形成第二介质层及光刻胶层；

对所述光刻胶层及所述第二介质层进行光刻处理，形成P型延伸PET注入区域；

通过所述PET注入区域进行第二剂量及第二能量的第二离子注入，形成半导体器件的PET区域，其中，所述第二剂量与所述第一剂量的大小正相关，所述第二能量与所述第一能量的大小正相关；

利用所述JFET注入区域、体区域、源区域及PET区域形成所述半导体器件。

在一种可能的实施方式中，所述第一离子注入与所述第二离子注入中的离子的种类不同。

在一种可能的实施方式中，所述第一离子注入的离子为N型离子，所述第二离子注入中的离子为P型离子。

在一种可能的实施方式中，所述第一离子注入中的离子包括氮离子或磷离子，所述第二离子注入中的离子包括铝离子或硼离子。

在一种可能的实施方式中，所述第一剂量为1E12cm^-2～3E13cm^-2，所述第一能量为200keV～1000keV；所述第二剂量为5E12cm^-2～5E13cm^-2，所述第二能量为200keV～1000keV。

在一种可能的实施方式中，所述第一介质层为二氧化硅或氮化硅，所述第一介质层的厚度为

在一种可能的实施方式中，所述第二介质层为二氧化硅或氮化硅，所述第二介质层的厚度为所述光刻胶层的厚度为2μm～6μm。

在一种可能的实施方式中，所述半导体器件包括碳化硅垂直双扩散金属氧化物晶体管VDMOS或碳化硅横向扩散金属氧化物晶体管LDMOS。

在一种可能的实施方式中，所述通过所述第一介质层及所述JFET注入区域形成半导体器件的体区域及源区域，包括：

在所述第一介质层上形成第三介质层；

对所述第三介质层进行刻蚀处理，形成第一注入区域；