[发明专利]高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A、将切好的P型重掺杂单晶硅片放入丙酮或乙醇溶液中浸泡，以去除表面有机污染物，然后用标准的RCA清洗流程在对其进行深度清洗；

步骤B、将清洗后的硅片固定在样品架上，竖直放入水热反应釜中，在反应釜中注入配置好的腐蚀液；

步骤C、将反应釜放入干燥箱中，先进行升温处理，再进行保温处理；

步骤D、从干燥箱中取出后冷却60分钟开盖，之后冷却到室温从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水反复冲洗，自然晾干即得纳米多孔硅柱状阵列；

步骤E、将0.03mol/L的醋酸镉和0.0018mol/L[Al]/[Cd]为0.06的AlCl₃·6H₂O溶于75ml的去离子水中，配制成溶液A，将0.1mol/L的硫脲溶于10ml的去离子水中，配置成溶液B；

步骤F、将溶液A与15ml氨水同时加入反应烧杯中，水浴加热至65℃；将溶液B加入反应烧杯，水浴加热至70℃；

步骤G、将衬底P型纳米多孔硅柱状阵列竖直放入反应溶液，恒温加热；

步骤H、步骤G反应结束后将样品取出用去离子水反复冲洗，将清洗后的硅片放入干燥箱中干燥，最终制得掺杂浓度[Al]/[Cd]为0.06的铝掺杂硫化镉/纳米硅异质结构阵列；

步骤I、依次采用稀HCl和热的饱和NaOH溶液去除样品一侧表面的黄色硫化镉薄膜和纳米多孔硅柱状阵列，直至表面变为银灰色，裸露出单晶Si片，最后用去离子水多次冲洗去除残夜，即得铝掺杂硫化镉/硅纳米异质结构阵列；

步骤J、分别采用直流磁控溅射法和真空蒸镀法在硫化镉和单晶硅表面沉积厚度为150nm的ITO层和500nm铝层作为顶电极和底电极，即得到铝掺杂的硫化镉/纳米多孔硅柱状阵列发光二极管。

2.根据权利要求1所述的一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤A中切好的P型重掺杂单晶硅片放入丙酮或乙醇溶液中浸泡的时间为5分钟。

3.根据权利要求1所述的一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤B中腐蚀液由0.03mol/L九水合硝酸铁、13mol/L氢氟酸和去离子水组成，反应釜的填充度83％。

4.根据权利要求1所述的一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤C中升温处理的温度为142度，保温时间为45分钟。

5.根据权利要求1所述的一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤G中恒温加热的时间为40分钟。

6.根据权利要求1所述的一种高性能的铝掺杂硫化镉硅基异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤H中干燥箱内的温度为80度，干燥时间为20分钟。