[发明专利]一种基于电阻率等值性原理的电磁测深约束反演方法有效
申请号: | 201910388990.3 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110058316B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 王绪本;唐荣江;郭家松;乃国茹 | 申请(专利权)人: | 成都理工大学 |
主分类号: | G01V3/38 | 分类号: | G01V3/38 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 赵凯 |
地址: | 610059 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电阻率 等值 原理 电磁 测深 约束 反演 方法 | ||
1.一种基于电阻率等值性原理的电磁测深约束反演方法,其特征在于,包括以下步骤:
a、假设一次反演的结果为m,对其正演响应求层厚的导数,将负的导数值作归一化处理,正的导数值取0,得到∆m;
b、将∆m作为各层S等值性收敛算法中ε对应的系数;
c、利用S等值性进行低阻薄层收敛,通过式1迭代求得式2;通过反演的数据解出第m层Zm、hm和ρm,按∆的速度逐渐减小hm的值,每减小一次hm的值便迭代计算出唯一对应的ρm,直到hm和ρm的值满足式1,收敛结束,得到收敛后的薄层电阻率和薄层厚度;
式1
其中, f为模型响应函数,hm为第m层的厚度,为第m层的厚度变化量,ρm为第m层的电阻率,为第m层的电阻率变化量,ε为收敛程度;
式2
其中,ρm为第m层的电阻率,Zm为第m层顶界面的波阻抗,i为虚数,ω为角频率,μ为磁导率,Zm+1为第m+1层顶界面的波阻抗,Z0m为第m层介质的特征阻抗,e为自然对数的底数,km为第m层的复波数,hm为第m层的厚度,Δ为参数改变的百分比;
d、利用H等值性进行高阻薄层厚度补偿,将低阻薄层减少的厚度的1/2加到上层高阻薄层中,随后再次利用式2进行迭代,求得高阻薄层的电阻率。
2.根据权利要求1所述的一种基于电阻率等值性原理的电磁测深约束反演方法,其特征在于:所述步骤a中,根据响应对层厚的导数进行智能识别搜索,若某一层为低阻薄层,响应对层厚的导数即为负数,若为高阻薄层,响应对层厚的导数即为正数。
3.根据权利要求1所述的一种基于电阻率等值性原理的电磁测深约束反演方法,其特征在于:所述步骤d中,高阻薄层厚度补偿具体是指低阻薄层收敛后,厚度减少,埋深变浅,将低阻薄层变薄的厚度补偿到上层围岩厚度,厚度补偿采用低阻薄层减少的厚度的1/2,使反演后的低阻薄层仍处于原低阻薄层中间。
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