[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体基底；

一导电贯通电极，贯穿该半导体基底；

一绝缘膜，围绕该导电贯通电极且使该导电贯通电极与该半导体基底电性地绝缘；

一凸块，设置在该导电贯通电极上；以及

一连接层，设置在该凸块上；

其中该连接层包括一可图案化材料，而该可图案化材料包含有多个导电粒子。

2.如权利要求1的半导体结构，其中该可图案化材料包括感光材料。

3.如权利要求2的半导体结构，其中该感光材料为光刻胶或聚亚酰胺。

4.如权利要求1的半导体结构，其中所述导电粒子为铜、镍、金或是银。

5.如权利要求1的半导体结构，其中该连接层由下列方式所形成：旋转涂布、化学气相沉积工艺或是物理气相沉积工艺。

6.如权利要求1的半导体结构，其中该导电贯通电极包括：

一第一电极部，位在该半导体基底中；

一第二电极部，从该第一电极部垂直地突伸；以及

一第三电极部，从该第二电极部横向地突伸，该第三电极部包括一侧表面，以界定出该第三电极部的一宽度。

7.如权利要求6的半导体结构，其中该导电贯通电极的该第三电极部是渐缩而呈锥形，以斜向的方式形成该第三电极部的该侧表面。

8.如权利要求7的半导体结构，其中该导电贯通电极的该第三电极部朝向与该导电贯通电极的该第一电极部相对的一侧而渐缩而呈锥形。

9.如权利要求8的半导体结构，其中该导电贯通电极的该第二电极部的一宽度，大致与该导电贯通电极的该第一电极部的一宽度相同，且该导电贯通电极的该第三电极部的该宽度，大于该第一电极部的该宽度与该第二电极部的该宽度。

10.如权利要求6的半导体结构，其中该第二电极部、该第三电极部以及该半导体基底之间，形成一间隙。

11.如权利要求6的半导体结构，其中该导电贯通电极的该第一电极部、该第二电极部以及该第三电极部由相同材料所形成。

12.如权利要求10的半导体结构，其中该绝缘膜包括：

一第一膜部，位于该第一电极部与该半导体基底之间；

一第二膜部，位在该间隙中；以及

一第三膜部，从该第二膜部突伸，以覆盖该第三电极部的该侧表面的一部分。

13.如权利要求12的半导体结构，其中该第三电极部的该侧表面的一剩余部分并未被该第三膜部所覆盖。

14.如权利要求12的半导体结构，其中该绝缘膜的该第一膜部在该导电贯通电极的该第一电极部与该半导体基底之间具有一第一厚度，该绝缘膜的该第二膜部在该导电贯通电极的该第二电极部与该半导体基底之间具有一第二厚度，而该第二厚度大于该第一厚度。

15.如权利要求14的半导体结构，其中该绝缘膜的该第三膜部从该绝缘膜的该第二膜部突伸而具有一第三厚度，以覆盖该导电贯通电极的该第三电极部的该侧表面的该部分，该第三厚度小于该绝缘膜的该第二膜部的该第二厚度。

16.如权利要求12的半导体结构，其中该绝缘膜的该第一膜部包括一第一绝缘层以及一第一绝缘衬垫，该绝缘膜的该第二膜部包括一第二绝缘层以及一第二绝缘衬垫，该绝缘膜的该第三膜部包括一第三绝缘衬垫，而该第二绝缘衬垫与该第一绝缘衬垫及该第三绝缘衬垫是连续的。