[发明专利]基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法

权利要求书

1.基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：对Au衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，去除表面的杂质，得到洁净的Au衬底；

步骤2：以黑磷为前驱体，在洁净的Au衬底上分子束外延沉积磷原子，并同时沉积C₆₀分子，得到P+C₆₀/Au；

步骤3：对P+C₆₀/Au进行逐步升温退火，得到具有明显缺陷的单层蓝磷表面。

2.根据权利要求1所述的基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于：步骤1中，所述氩离子刻蚀过程中，氩气气压保持在1.2×10^-5mbar，施加能量为1.0keV，刻蚀过程维持12-15min。

3.根据权利要求1所述的基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于：步骤1中，所述退火处理具体过程为：对Au衬底缓慢加热至600-650K并维持1-2min，使样品发红至表面洁净。

4.根据权利要求1所述的基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于：所述步骤2具体操作过程为，以黑磷作为生长蓝磷的前驱体，将黑磷源加热至250℃，同时将C₆₀源加热至297℃，Au衬底加热至400K。

5.根据权利要求1所述的基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于：步骤2中所述黑磷沉积时间为5min，C₆₀沉积时间为2min。

6.根据权利要求1所述的基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于：步骤3中，退火具体操作过程为，将P+C₆₀/Au进行缓慢加热，待其温度升至450K时维持20-25min。