[发明专利]内嵌式被动元件结构

权利要求书

1.一种内嵌式被动元件结构，其特征在于，包括：

第一导电金属层；

电阻层，设置在所述第一导电金属层的上侧，所述电阻层由镍、铬、钨、镍金属化合物、铬金属化合物、钨金属化合物、镍基合金、铬基合金或钨基合金制成；

介电层，与所述电阻层相连接；

支持层，与所述介电层相连接；

接着层，与所述支持层相连接，且设置在所述支持层的上侧；

第二导电金属层，设置在所述接着层的上侧。

2.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述第一导电金属层和第二导电金属层的制造材料可为下列任一者：银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、银复合物、铜复合物、金复合物、铝复合物、上述任两者的复合物、或上述任两者以上的复合物。

3.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述第一导电金属层和第二导电金属层的厚度介于0.4微米至50微米之间。

4.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述电阻层的厚度小于2微米，且所述接着层的厚度小于2微米。

5.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述电阻层通过溅镀过程而形成在所述第一导电金属层的上侧。

6.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述介电层通过涂布过程或溅镀过程而与所述支持层相连接。

7.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述介电层通过涂布过程或溅镀过程而与所述电阻层相连接。

8.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述介电层的厚度介于0.01微米至50微米之间，且所述支持层的厚度介于5微米至350微米之间。

9.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述介电层包括一聚合物基质与掺杂在该聚合物基质中的介电粒子，且所述介电粒子的制造材料可为下列任一者：高介电材料、介电材料或低介电材料。

10.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

通过所述溅镀制成的所述介电层具有钙钛矿结构或尖晶石结构，且可进一步地在所述钙钛矿结构或所述尖晶石结构中微量添加镧系元素、锇系元素、稀土元素或碱土族元素。

11.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述支持层为一软性基板，且该软性基板的制造材料可为下列任一者：环氧树脂、三聚氰胺、聚酰亚胺、聚偏二氟乙烯、氰乙基支链淀粉、苯并环丁烯、聚降冰片烯、聚四氟乙烯、丙烯酸酯、聚苯醚、氰酸酯、双马来酰亚胺三嗪、烯丙基化聚苯醚、上述任两者的共混物或上述任两者以上的共混物。

12.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述支持层为一硬质基板，且该硬质基板的制造材料包括玻璃纤维。

13.根据权利要求1所述的内嵌式被动元件结构，其特征在于：

所述接着层的制造材料可为下列任一者：镍、铬、钨、镍金属化合物、铬金属化合物、钨金属化合物、镍基合金、铬基合金或钨基合金。