[发明专利]一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种单晶硒化锡热电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、取衬底，置于清洗液中超声清洗10min，清洗后在60-150℃下烘干2h，取出自然冷却；

S2、将步骤S1中处理后的衬底放入到旋涂机上，对衬底表面滴加0.3-1mL分散液，所述分散液为1-5mg/mL的氧化石墨烯分散液，以2000r/min转速旋甩30s，旋甩后将衬底取出，在200℃下烘干5-10min，得到缓冲层衬底；

S3、取硒化锡溅射靶材放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪沉积腔的靶台上，再将步骤S2制得的缓冲层衬底放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪沉积腔的样品台上，先抽真空至真空度小于10Pa，充入惰性气体至气压达到100Pa完成洗气，再次抽真空至真空度小于6×10^-4Pa，对缓冲层衬底加热，加热至200-280℃，通入惰性气体，通入惰性气体的体积流量为15-25Sccm，进行溅射20-60min，所述高真空多功能磁控溅射镀膜仪的溅射气压为1.2-2.7Pa，溅射功率为80-100W，旋转速度为15-30r/min，得到单晶硒化锡热电薄膜。

2.根据权利要求1所述的单晶硒化锡热电薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述衬底为普通玻璃、云母和硅片中的一种。

3.根据权利要求1所述的单晶硒化锡热电薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述清洗液为无水乙醇和去离子水中的一种或任意两种的混合物。

4.根据权利要求1-3任一项所述的单晶硒化锡热电薄膜制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气和氩气中的一种或任意两种的混合物。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的单晶硒化锡热电薄膜制备方法制备的单晶硒化锡热电薄膜。