[发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)提供一带有对位标记的待封芯片，所述待封芯片包括衬底以及位于衬底之上的金属化层，其中，所述对位标记位于金属化层上表面；

2)沉积金属柱，形成于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接；

3)固定半密封空腔，所述半密封空腔为一面开口其他面封闭的腔体，所述半密封空腔开口扣在对位标记之上；

4)塑封，采用塑封料完全包覆所述金属柱及半密封空腔，在所述金属化层上形成塑封层；

5)研磨，研磨所述塑封层直至暴露出金属柱的上表面及对位标记；

6)形成重新布线层，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层，其中，所述电介质层暴露出金属柱的上表面，所述金属线层与所述金属柱电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，固定半密封空腔的方式包括贴装。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述贴装的步骤至少包括：

3-1)在所述半密封空腔的开口面涂覆粘结剂；

3-2)将涂有粘结剂的一面扣于所述对位标记之上并与所述金属化层粘结固定。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属化层包括介质层和形成于介质层中的金属互连结构，所述金属互连结构的材料包括铜、铝及钛中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属互连结构的上表面与介质层的上表面平齐或高于介质层的上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属柱的制备方法包括打线工艺、电镀工艺。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属柱的材料包括铜、铝及钛中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述半密封空腔的材料包括玻璃、塑料、陶瓷、金属。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述塑封料的材料包括环氧基树脂、液体型热固环氧树脂及塑性化合物中的一种。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述塑封包括压缩成型工艺、转移成型工艺、液体密封成型工艺、真空层压工艺或旋涂工艺。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述研磨包括化学机械抛光。

12.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤6)至少包括以下步骤：

6-1)于所述塑封层的上表面形成电介质层，所述电介质层填满所述半密封空腔并覆盖所述塑封层；

6-2)通过光刻刻蚀工艺，暴露出所述金属柱的上表面；

6-3)于所述电介质层的上表面形成金属线层，所述金属线层与金属柱电性连接。

13.一种半导体封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

待封芯片，所述待封芯片包括衬底以及位于衬底之上的金属化层，其中，所述金属化层上表面带有对位标记；

塑封层，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封层包括位于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接的金属柱、位于所述对位标记外围的半密封空腔以及包覆所述金属柱及半密封空腔的塑封料层；

重新布线层，位于所述塑封层上表面，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层，其中，所述电介质层暴露出所述金属柱的上表面，所述金属线层与所述金属柱电性连接。