[发明专利]阵列基板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910390891.9 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN110174803A 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 叶成亮 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 边缘色 图案 隔垫物 阵列基板 显示区 主隔垫物 材料层 块状部 色阻 制作 液晶显示面板 显示品质 高度差 流平性 外围区 挡墙 外围
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有显示区(91)及位于显示区(91)外侧的外围区(92);所述阵列基板包括设于外围区(92)内的边缘色阻图案(32)及位于边缘色阻图案(32)上方的边缘隔垫物(42);所述边缘色阻图案(32)包括块状部(321)及位于块状部(321)外侧的挡墙(322)。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上的薄膜晶体管阵列层(20)、设于薄膜晶体管阵列层(20)上的第一钝化层(60)、设于第一钝化层(60)上且位于显示区(91)内的显示区色阻图案(31)、覆盖显示区色阻图案(91)的第二钝化层(70),所述边缘色阻图案(32)设于第一钝化层(60)上,所述第二钝化层(70)覆盖边缘色阻图案(32),所述边缘隔垫物(42)设于第二钝化层(70)上。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括间隔设于第二钝化层(70)上且位于显示区(91)内的主隔垫物(41)及辅助隔垫物(43);所述主隔垫物(41)及辅助隔垫物(43)均位于显示区色阻图案(31)上方;所述辅助隔垫物(43)的高度小于主隔垫物(41)及边缘隔垫物(42)的高度。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述块状部(321)及挡墙(322)的材料相同或不同。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述外围区(92)包括位于显示区(91)外侧且与显示区(91)间隔的胶框涂布区(921)及位于胶框涂布区(921)与显示区(91)之间的过渡区(922),所述边缘色阻图案(32)及边缘隔垫物(42)均位于过渡区(922)内。

6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述挡墙(322)为环状。

7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述块状部(321)的横截面形状为正方形,所述挡墙(322)的横截面形状为矩形框。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述块状部(321)的长宽均为105μm-110μm;所述挡墙(322)的内侧边缘与外侧边缘之间的距离为20μm-50μm;所述挡墙(322)的内侧边缘与块状部(321)的边缘之间的距离为10μm-20μm。

9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括设于第二钝化层(70)上且位于显示区(91)内的像素电极(50);所述第一钝化层(60)、显示区色阻图案(31)及第二钝化层(70)设有过孔(71),所述像素电极(50)经过孔(71)与薄膜晶体管阵列层(20)接触。

10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1、提供衬底基板(10),在衬底基板(10)上制作薄膜晶体管阵列层(20);

步骤S2、在薄膜晶体管阵列层(20)上形成第一钝化层(60),在第一钝化层(60)上制作显示区色阻图案(31)及位于显示区色阻图案(31)外侧的边缘色阻图案(32),在第一钝化层(60)、显示区色阻图案(31)及边缘色阻图案(32)上形成第二钝化层(70);

所述边缘色阻图案(32)包括块状部(321)及位于块状部(321)外侧的挡墙(322);

步骤S3、在第二钝化层(70)上形成隔垫物材料层(49);对隔垫物材料层(49)进行图案化,形成位于显示区色阻图案(31)上方的主隔垫物(41)以及位于边缘色阻图案(32)上方的边缘隔垫物(42)。

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