[发明专利]一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：

S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；

S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；

S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl₄和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀；

S4、通入包含SiCl₄和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。

2.根据权利要求1所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

S11、在VCSEL外延片上沉积一层介质薄膜；

S12、在含有介质薄膜的VCSEL外延片上旋涂一层光刻胶；

S13、光刻胶经曝光显影形成光刻胶掩膜；

S14、通过ICP刻蚀工艺，对未被光刻胶掩膜覆盖的介质薄膜进行刻蚀，将光刻胶图案转移到VCSEL外延片上；

S15、去除光刻胶。

3.根据权利要求2所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，采用PECVD法在VCSEL外延片上沉积一层介质薄膜。

4.根据权利要求2或3所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，所述介质薄膜的材料为二氧化硅或氮化硅，所述介质薄膜厚度位于30-800nm之间。

5.根据权利要求4所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，刻蚀介质薄膜的气体为氟基气体，所述氟基气体为四氟化碳、三氟甲烷、六氟化硫中的一种或多种气体。

6.根据权利要求4所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，刻蚀介质薄膜的RF功率位于20-100 W之间，ICP功率位于0-500 W之间，刻蚀时间0-30min之间。

7.根据权利要求2所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，旋涂的光刻胶的厚度位于1-5μm之间。

8.根据权利要求2所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，形成光刻胶掩膜时：对涂有光刻胶的VCSEL外延片依次进行前烘、曝光、显影、后烘以及坚膜。

9.根据权利要求2所述的改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，使用丙酮或者异丙醇去除剩余光刻胶。