[发明专利]一种富含α横晶的聚丙烯膜及其制备方法

权利要求书

1.一种富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：所述富含α横晶的聚丙烯膜是将聚丙烯薄膜的表面与表面分散有α成核剂的层状基板的表面直接接触，然后使聚丙烯薄膜熔融，结晶后得到的；所述富含α横晶的聚丙烯膜中，不含成核剂；所述α横晶是连续有序的，且是沿垂直于膜面的方向朝内部生长的；

所述富含α横晶的聚丙烯膜是通过以下步骤制备得到的：

(1)制备聚丙烯薄膜；

(2)制备均匀分散有α成核剂的层状基板：在制备基板的过程中加入α成核剂，搅拌，混合均匀，成型，得到均匀分散有α成核剂的层状基板；

(3)将一片步骤(1)制得的聚丙烯薄膜放入两片步骤(2)制得的层状基板之间，得到三层结构，然后将该三层结构置于180-220℃下，使聚丙烯薄膜的表面与基板的表面直接接触，当聚丙烯薄膜充分熔融之后，将该三层结构于120-140℃下等温结晶；

(4)等温结晶结束后，将该三层结构置于室温下冷却，然后剥开基板，即得富含α横晶的聚丙烯膜。

2.根据权利要求1所述的富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：步骤(1)中，所述制备聚丙烯薄膜的工艺为：取聚丙烯粒料，在热压机内加热熔融，保压，然后在室温下自然冷却，即得。

3.根据权利要求1所述的富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：所述加热温度为200℃，时间为15分钟，所述保压的压力为10MPa，保压时间为5分钟。

4.根据权利要求1所述的富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：步骤(2)中，所述基板选自无机材料基板、高分子材料基板或复合材料基板；

和/或，所述α成核剂选自无机α成核剂或有机α成核剂；

和/或，所述α成核剂为层状基板重量的1％-3％；

和/或，所述成型工艺之前，还包括在真空条件下去除气泡。

5.根据权利要求4所述的富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：步骤(2)中，所述基板为环氧树脂基板；和/或，所述α成核剂为芳基磷酸酯盐类α成核剂；和/或，所述α成核剂为层状基板重量的2％。

6.根据权利要求5所述的富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：步骤(2)中，所述α成核剂为NA-11。

7.根据权利要求1所述的富含α横晶的聚丙烯膜，其特征在于：步骤(3)中，所述等温结晶前，该三层结构置于200℃下，保持时间为15分钟；

和/或，所述等温结晶温度为130℃，时间为30分钟。

8.一种权利要求1-7任一项所述富含α横晶的聚丙烯膜的制备方法，其特征在于：所述方法包含以下步骤：

(1)制备聚丙烯薄膜；

(2)制备均匀分散有α成核剂的层状基板：在制备基板的过程中加入α成核剂，搅拌，混合均匀，成型，得到均匀分散有α成核剂的层状基板；

(3)将一片步骤(1)制得的聚丙烯薄膜放入两片步骤(2)制得的层状基板之间，得到三层结构，然后将该三层结构置于180-220℃下，使聚丙烯薄膜的表面与基板的表面直接接触，当聚丙烯薄膜充分熔融之后，将该三层结构于120-140℃下等温结晶；

(4)等温结晶结束后，将该三层结构置于室温下冷却，然后剥开基板，即得富含α横晶的聚丙烯膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述制备聚丙烯薄膜的工艺为：取聚丙烯粒料，在热压机内加热熔融，保压，然后在室温下自然冷却，即得。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述加热温度为200℃，时间为15分钟，所述保压的压力为10MPa，保压时间为5分钟。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述基板选自无机材料基板、高分子材料基板或复合材料基板；

和/或，所述α成核剂为层状基板重量的1％-3％；

和/或，所述成型工艺之前，还包括在真空条件下去除气泡。