[发明专利]光阻剥离方法及光阻剥离装置

说明书

本申请提供一种光阻剥离方法及光阻剥离装置，通过使光阻剥离后的基板经过至少一盛放第一溶液的清洗子单元处理以去除光阻剥离后的基板上的残留剥离液，以避免残留剥离液对基板上的金属造成腐蚀，改善光阻剥离过程中的金属掏空程度。

技术领域

本申请涉及显示器加工技术领域，尤其涉及一种光阻剥离方法及光阻剥离装置。

背景技术

在高世代液晶面板中，铜材料作为金属线因其阻抗低、抗电迁移能力强等优点使得其代替传统的铝材料成为趋势。

现有液晶面板工艺中，因铜等金属在金属图案化过程中会使用光阻(Photoresistance，PR)，而在后续光阻剥离过程中会发生金属的腐蚀，金属的腐蚀会导致金属掏空的现象。例如，铜掏空会形成金属尖端，在后续制造工艺中不同层别的金属易发生静电(ElectroStatic Discharge，ESD)击穿现象，对产品良率造成极大影响。由于在铜等金属图案化之后，需要采用光阻剥离液将剩余的光阻去除，而光阻剥离液中含有具有胺基的有机物，具有胺基的有机物在水中发生解离，形成碱性环境进而对铜等金属进行腐蚀，形成金属掏空。

因此，有必要提出一种技术方案以解决光阻剥离过程中的造成的金属掏空现象。

发明内容

本申请的目的在于提供一种光阻剥离方法及光阻剥离装置，以解决光阻剥离过程中的造成的金属掏空现象。

为实现上述目的，技术方案如下：

一种光阻剥离装置，所述光阻剥离装置包括：

光阻剥离单元，所述光阻剥离单元用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板；

第一清洗单元，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的所述基板上的残留剥离液发生中和反应；

其中，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层。

在上述光阻剥离装置中，所述剥离液为有机胺溶液，所述第一溶液为酸性溶液。

在上述光阻剥离装置中，所述酸性溶液为甲酸溶液、乙酸溶液以及碳酸溶液中的至少一种。

在上述光阻剥离装置中，所述酸性溶液在室温下的pH值为0-7。

在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括超声清洗单元，所述超声清洗单元设置于所述光阻剥离单元和所述第一清洗单元之间。

在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述光阻剥离单元和第一清洗单元之间，所述第二清洗单元用于盛装去离子水以对所述光阻剥离后的所述基板进行清洗。

在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括第一超声清洗单元以及第二超声清洗单元，所述第一超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述光阻剥离单元之间，所述第二超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述第一清洗单元之间。

在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括干燥单元，所述干燥单元包括风刀单元和低压干燥单元，所述风刀单元位于所述第一清洗单元和所述低压干燥单元之间。

在上述光阻剥离装置中，所述图案化的金属层包括依次层叠于所述基板上的图案化钼层以及图案化铜层。

一种光阻剥离方法，所述光阻剥离方法包括如下步骤：

提供一待剥离光阻的基板，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层；

使所述待剥离光阻的基板经过盛装剥离液的光阻剥离单元处理以去除所述光阻层；