[发明专利]一种双结叠层太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201910392637.2 | 申请日: | 2019-05-13 |
公开(公告)号: | CN110071193A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 李辉;罗海天;屈飞;古宏伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 程华 |
地址: | 100190 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 叠层太阳电池 双结 制备 薄膜太阳电池 制备方法工艺 金属电极 理论效率 底电池 顶电池 宽带隙 宽光谱 窄带隙 单结 叠层 双节 钼层 吸收 | ||
本发明公开了一种双结叠层太阳电池及其制备方法。本发明采用宽带隙的CBTS薄膜太阳电池作为顶电池,窄带隙的CIGS薄膜太阳电池作为底电池,以金属电极以及CIGS薄膜太阳电池中的CIGS钼层作为双节叠层的两端,形成双结叠层太阳电池。本发明所提供的双结叠层太阳电池制备方法工艺简单,制备的双结叠层太阳电池能突破单结SQ理论效率限制,实现宽光谱吸收优势。
技术领域
本发明涉及太阳电池领域,特别是涉及一种双结叠层太阳电池及其制备方法。
背景技术
近些年来,随着世界对能源需求的不断提高和严重的环境污染问题,光伏发电技术因其独特的优势越来越受到大家的重视。
铜铟镓硒CIGS薄膜太阳电池因其独特的优势得到迅速发展并将逐步实现产业化。此电池有以下特点:1)铜铟镓硒的禁带宽度可以在1.04eV-1.67eV范围内调整,最优带隙为1.15eV,在叠层太阳电池中是一种很好的底电池;2)铜铟镓硒具有高效率,最高效率已经超过23%;3)CIGS可以制备在柔性衬底上,获得一种柔性电池,4)铜铟镓硒是一种直接带隙半导体,对可见光的吸收系数高达105cm-1,铜铟镓硒吸收层厚度只需1.5-2.5μm,整个电池的厚度为3-4μm;5)抗辐照能力强,比较适合作为空间电源;6)弱光特性好。目前,铜铟镓硒薄膜电池已经实现产业化生产,得到广泛应用。
铜钡锡硫(Cu2BaSnS4,CBTS)薄膜太阳电池因为其突出的特点成为近年来大家研究的热点。CBTS和CIGS一样都是直接带隙半导体,带隙范围在1.5eV-2.0eV,在叠层太阳电池中是一种理想的顶电池,吸收系数大,所需电池厚度薄,有利于降低原料消耗;最重要的优势是CBTS的组成成分都是地球上比较丰富的元素,为未来大规模的发展提供了可能,而且通过理论计算和模拟,发现CBTS无深能级缺陷,为进一步的效率提升提供了坚实的理论基础。
虽然CIGS薄膜太阳电池以及CBTS薄膜太阳电池具有以上优势,但是现有CIGS薄膜太阳电池以及CBTS薄膜太阳电池均为单结电池,而单结电池的效率提升受到单结肖克利-奎伊瑟极限(Shockley–Queisserlimit,SQ)理论效率限制,电池效率低。
发明内容
本发明的目的是提供一种双结叠层太阳电池及其制备方法,以解决现有的单结电池效率低的问题。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种双结叠层太阳电池,包括:玻璃衬体、铜铟镓硒CIGS薄膜太阳电池、第一减反层、铜钡锡硫CBTS薄膜太阳电池、金属电极以及第二减反层;
所述CIGS薄膜太阳电池为底电池,所述玻璃衬体设于所述所述CIGS薄膜太阳电池的底部,所述CIGS薄膜太阳电池包括CIGS钼层、CIGS吸收层、CIGS缓冲层、CIGS高阻层以及CIGS透明导电玻璃层;所述CIGS钼层、所述CIGS吸收层、所述CIGS缓冲层、所述CIGS高阻层以及所述CIGS透明导电玻璃层从下至上依次层叠设置;
所述第一减反层设于所述CIGS薄膜太阳电池以及所述CBTS薄膜太阳电池之间;
所述CBTS薄膜太阳电池为顶电池,所述CBTS薄膜太阳电池包括CBTS吸收层、CBTS缓冲层、CBTS高阻层以及CBTS透明导电玻璃层;所述CBTS吸收层、所述CBTS缓冲层、所述CBTS高阻层以及所述CBTS透明导电玻璃层从下至上依次层叠设置;
所述金属电极设于所述CBTS透明导电玻璃层以及所述第二减反层之间,形成双结叠层太阳电池。
可选的,所述CIGS缓冲层以及所述CBTS缓冲层的成分均为硫化镉或硫化锌。
可选的,所述CIGS高阻层以及所述CBTS高阻层的成分均为锌镁氧化物或氧化锌。
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