[发明专利]一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺在审
| 申请号： | 201910393408.2 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110098107A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 何一峰;陆波;邱小永;周海权;吕文辉;牛嘉军 | 申请（专利权）人： | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67;H01L31/20 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结工艺 烧结 多晶硅 印刷 清洗 电池片表面 单独处理 磨损表面 清洗工艺 混合液 预烧结 片数 烧穿 脏污 去除 恢复 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
待清洗的异常片经HCl、H2O2混合液清洗；
预烧结，温度为80-200℃；
烧结，温度为700-770℃。
2.根据权利要求1所述的一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，所述步骤（1）中还包括气体搅拌，N2鼓泡量为1-4m3/H，溢流量50-60 L /min。
3.根据权利要求1所述的一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，所述步骤（2）中HCL浓度40-60%，H2O2浓度20-30%。
4.根据权利要求1所述的一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，在实施步骤（2）之前，重复实施步骤（1）。
5.根据权利要求4所述的一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，所述重复次数为2次。
6.根据权利要求1所述的一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，所述步骤（3）中烧结区域划分为1-6区。
7.根据权利要求6所述的一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，所述1-6区中，1-3区温度范围为485-600℃ ，4-6区温度范围为600-770℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江贝盛光伏股份有限公司，未经浙江贝盛光伏股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910393408.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
