[发明专利]基于石墨烯-氧化镓相结的自供电型光电探测结构、器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910393485.8 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110085688A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郭道友;刘琦;王顺利;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镓 纳米柱 衬底 光电探测器 石墨烯薄膜 光电探测 自供电型 石墨烯 制备 退火 光谱选择性 高温退火 制备工艺 紫外光 灵敏度 响应度 自供电 日盲 水热 | ||
1.一种基于石墨烯-氧化镓相结的自供电型光电探测结构，其特征在于，该结构包括：
衬底；
氧化镓相结纳米柱，形成于所述衬底上；
石墨烯薄膜，形成于所述氧化镓相结纳米柱上。
2.如权利要求1所述的自供电型光电探测结构，其特征在于，所述的氧化镓相结纳米柱为α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列。
3.如权利要求1所述的自供电型光电探测结构，其特征在于，所述衬底为透明衬底。
4.一种基于石墨烯-氧化镓相结的自供电型光电探测结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上生成氧化镓相结纳米柱；
在所述氧化镓相结纳米柱上转移形成石墨烯薄膜。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在衬底上生成氧化镓相结纳米柱的步骤包括：
在衬底上生长GaOOH纳米柱阵列；
对所述GaOOH纳米柱阵列进行退火和高温退火生成α/β-Ga2O3纳米柱阵列。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述氧化镓相结纳米柱上转移形成石墨烯薄膜的步骤包括：
通过化学气相沉积法生长石墨烯并将其通过湿法转移至纳米柱上方形成石墨烯薄膜。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括在石墨烯薄膜上形成金属电极的步骤。
8.如权利要求4至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为透明衬底。
9.一种光电探测器，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的自供电型光电探测结构。
10.如权利要求9所述的光电探测器，其特征在于，其探测波长位于紫外光波长范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
