[发明专利]光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球及合成方法

权利要求书

1.光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，通过下述方法制备：使用阳离子表面活性剂CTAB，通过氢键/静电辅助共组装策略、将碳量子点掺杂进介孔硅球的骨架中，去除反应残留杂质并干燥后制得Si-C键掺杂的疏松骨架型复合硅球。

2.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的氢键/静电辅助共组装策略中所用的碳量子点Zeta电位为-5.0～-100.5mV。

3.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的氢键/静电辅助共组装策略中的反应温度为50～90℃。

4.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的制备方法中CTAB、三乙胺以及碳量子点的混合水溶液在一定温度下的搅拌时间为10～30min。

5.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的氢键/静电辅助共组装策略中，硅源前体为TBOS、TEOS、APTS硅烷及其衍生物。

6.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的氢键/静电辅助共组装策略的反应时间为4～12h。

7.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的去除反应残留杂质的方法为：在硝酸铵的乙醇溶液中加热搅拌、超声分散以及离心中的一种或几种联合。

8.根据权利要求1所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，所述的干燥方法为冷冻干燥、真空干燥或小于60℃低温空气干燥。

9.根据权利要求1-8所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，制得的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球用于制备肿瘤的增强型光热治疗制品。

10.根据权利要求1-8所述的光热增强效应的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其特征在于，制得的骨架掺杂型可降解介孔硅纳米球，其硅球骨架中嵌有碳量子点，骨架疏松，能在生理条件下逐步降解，水分散性好、毒性低、生物相容性好，能规避大尺寸纳米材料在体内蓄积的长期毒性。