[发明专利]立方尖晶石结构CuGa2 有效
| 申请号： | 201910393812.X | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN109943821B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 郭道友;吴超;贺晨冉;王顺利;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 唐为华 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100088 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 立方 尖晶石 结构 cuga base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
通过磁控溅射法在衬底上生长掺铜的氧化镓薄膜，其中所述磁控溅射法中采用Cu靶和Ga2O3靶；所述掺铜的氧化镓薄膜中的Cu和Ga的原子比在0.09～0.18范围内；
将所述掺铜的氧化镓薄膜进行退火，生成立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜；其中，所述退火的温度在750℃～950℃之间。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法中对Cu靶的溅射功率为7W，对Ga2O3靶的溅射功率为60W～120W。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化镓薄膜中的铜的掺杂量为8.5at.％。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述衬底为c面蓝宝石衬底。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述退火的升温速度为5℃/min，退火时间为10h。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述掺铜的氧化镓薄膜的厚度为100nm～1000nm。
7.一种立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜结构，其特征在于：所述CuGa2O4薄膜由权利要求1所述的制备方法制得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于唐为华，未经唐为华许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910393812.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
