[发明专利]一种自支撑网格状Cu2-xSe纳米材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910394159.9 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110015645A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 侯鑫;李羚玮;谢培;姜坤;魏晓帆;薛绍林 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01J1/308;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米材料 网格状 自支撑 制备 乙二胺四乙酸二钠溶液 场致电子发射 氢氧化钠溶液 场发射性能 电子显示 混合溶液 平板显示 水热反应 阴极材料 水合肼 滴加 铜源 硒粉 硒源 洗涤 冷却 溶解 澄清 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种自支撑网格状Cu2-xSe纳米材料的制备方法，包括：
(1)将硒粉溶解于氢氧化钠溶液中，加入乙二胺四乙酸二钠溶液，然后滴加水合肼使溶液澄清，搅拌均匀，得到含有硒源的混合溶液，其中硒粉、氢氧化钠与乙二胺四乙酸二钠的摩尔比为0.01:0.1-0.2:0.00008-0.00015；
(2)将铜源与步骤(1)中含有硒源的混合溶液混合，140-150℃下水热反应，冷却，分离，洗涤，干燥，得到自支撑网格状Cu2-xSe纳米材料，其中，铜源为铜片。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中氢氧化钠溶液浓度为11-15M。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中乙二胺四乙酸二钠溶液浓度为0.008-0.015mol/L。
4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤(2)中铜片厚度为0.8-1.2mm；水热反应时间为3-5h。
5.如权利要求1所述方法制备得到的自支撑网格状Cu2-xSe纳米材料。
6.如权利要求1所述方法制备得到的自支撑网格状Cu2-xSe纳米材料在场致电子发射中的应用。
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