[发明专利]一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si3

权利要求书

1.一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si₃N₄釉面处理工艺，其特征在于：具体步骤包括，(1)清洗石英坩埚表面；

(2)采用优质蔗糖与纯净水混合、加热溶解使溶液中的蔗糖达到饱和状态；

(3)将饱和的蔗糖溶液涂刷到石英坩埚内表面，待干燥后再涂刷一次，烘干；

(4)将处理好的石英坩埚放入高温炉中，缓慢升温，升温速率为1-4℃/min，使温度上升到800-1000℃时保温2-4h，再以同样的升温速率将温度上升到1200-1400℃，保温2h，然后缓慢降温到室温待用；

(5)清理石英坩埚内表面，将步骤(4)中处理好的石英坩埚放入高温气氛炉中，缓慢升温，升温速率为1-4℃/min，使温度上升到800-1000℃时缓慢通入氮气，氮气压力保持在1kg/cm²持续2-4h，然后缓慢降温到室温；

(6)检查石英坩埚表面Si₃N₄陶瓷釉面是否光滑无裂缝，如果不光滑或者有裂缝，重复步骤(2)、(3)、(4)、(5)直到石英坩埚表面Si₃N₄陶瓷釉面光滑无裂缝；将步骤(5)中处理得到的Si₃N₄陶瓷釉面石英坩埚清理干净，得到成品。

2.根据权利要求1所述的太阳能单晶多晶坩埚内表面Si₃N₄釉面处理工艺，其特征在于：步骤(4)中升温速度为2℃/min；使温度上升到800℃时保温2h。

3.根据权利要求2所述的太阳能单晶多晶坩埚内表面Si₃N₄釉面处理工艺，其特征在于：将步骤(4)中处理好的石英坩埚放入高温气氛炉中，缓慢升温，升温速率为2℃/min,使温度上升到800℃时缓慢通入氮气，氮气压力保持在1kg/cm² 持续4h，然后缓慢降温到室温。