[发明专利]一种含锂陶瓷废料制备氢氧化锂的方法有效
申请号: | 201910395466.9 | 申请日: | 2019-05-13 |
公开(公告)号: | CN109987617B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 孙振华;李少鹏;李会泉;高奥雷;赵晨;李占兵;宋昱霖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
主分类号: | C01D15/02 | 分类号: | C01D15/02;C04B18/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 100190 北京市海淀区中关村*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 废料 制备 氢氧化锂 方法 | ||
1.一种含锂陶瓷废料制备氢氧化锂的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
(1)水浸反应:混合含锂陶瓷废料与水,水浸后得到混合浆料;
(2)过滤:过滤步骤(1)所得混合浆料,得到水浸渣和水浸液;
(3)洗涤分离:洗涤步骤(2)所得水浸渣,得到预除锂料与洗液;
(4)苛化:混合步骤(2)所得水浸液与步骤(3)所得洗液,得到混合液,混合苛化剂与混合液进行苛化反应,得到苛化浆料;
(5)过滤:过滤步骤(4)所得苛化浆料,得到苛化渣与苛化液;
(6)蒸发结晶:蒸发结晶步骤(5)所得苛化液,固液分离后对固体进行干燥处理,得到氢氧化锂产品;
步骤(1)所述水与含锂陶瓷废料的液固比为(1-20):1;步骤(1)所述水浸的温度为10-90℃;步骤(1)所述水浸的时间为20-300min;
步骤(4)所述苛化剂包括氧化钙和/或氢氧化钙;步骤(4)所述苛化反应时的钙硅比(1-2):1;步骤(4)所述苛化反应的温度为50-120℃;步骤(4)所述苛化反应的时间为20-300min。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述水与含锂陶瓷废料的液固比为(2-15):1。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述水浸的温度为20-80℃。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述水浸的时间为30-60min。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤的方法包括搅拌洗涤和/或淋洗。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤的次数为1-10次。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤的次数为3-8次。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤为用水洗涤。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤时水与水浸渣的液固比为(1-20):1。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤时水与水浸渣的液固比为(5-15):1。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤的温度为10-90℃。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述洗涤的温度为25-40℃。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(4)所述苛化反应的温度为60-100℃。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,步骤(4)所述苛化反应的时间为60-180min。
15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(6)所述蒸发结晶的温度为60-100℃。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,步骤(6)所述蒸发结晶的温度为80-90℃。
17.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(6)所述蒸发结晶的时间为2-5h。
18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,步骤(6)所述蒸发结晶的时间为3-4h。
19.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(6)所述干燥处理的方法包括微波干燥和/或盘式干燥。
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