[发明专利]存储器装置有效

申请号：	201910395681.9	申请日：	2019-05-13
公开（公告）号：	CN111833953B	公开（公告）日：	2022-04-19
发明（设计）人：	李亚睿;陈冠复	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	G11C29/12	分类号：	G11C29/12;G11C29/30;G11C29/56;G06F3/06
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	任岩
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	存储器装置
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【说明书】：

本发明公开了一种存储器装置，包括存储器阵列以及控制器。控制器用以：读取先前页面以获得第一读取数据，将输入数据写入目前页面，读取先前页面或目前页面以获得第二读取数据，并分析第一读取数据及第二读取数据至少其中之一以决定是否备份第一读取数据及输入数据至少其中之一至存储器装置的冗余区块。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置及其写入验证方法，且特别是有关于一种可验证出字线漏电的存储器装置及其写入验证方法。

背景技术

随着工艺节点演进，NAND快闪存储器面临工艺变异和可靠性挑战，其影响产品性能以及合格率，且这些挑战在具有高可靠性要求的汽车市场中尤为重要。在元件级尺寸中，已有各种解决方案以减少工艺缺陷如字线漏电(word line leakage)的影响。其中，某些字线漏电可以在晶圆端就被检测出来。然而，由于在写入和擦除期间长时间的高电场可能导致缺陷，一些字线漏电是在写入擦除循环(program-erase cycle，P/E cycle)之后才产生，导致有些字线漏电无法在晶圆端就被检测出来。一种解决方案是在擦除之前就检测字线漏电，但该方案无法完全检测出字线漏电而仍有写入错误的情况。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其写入验证方法，可在写入验证中检测出字线缺陷，并快速备份具有字线缺陷的位的数据，以改善存储器装置的品质和可靠性。

本发明的实施例提供一种存储器装置，其中存储器装置包含但不限于存储器阵列与控制器。存储器阵列包括多个页面。控制器耦接存储器阵列，控制器用以：读取先前页面以获得第一读取数据。将输入数据写入目前页面。读取先前页面或目前页面以获得第二读取数据。分析第一读取数据及第二读取数据至少其中之一以决定是否备份第一读取数据及输入数据至少其中之一至存储器阵列的冗余区块。

基于上述，在本发明一些实施例中，所述存储器装置可以改善存储器装置的品质与可靠性。控制器预先读取先前页面，并在写入目前页面后读取并分析先前页面与目前页面至少其中之一，以决定是否备份至存储器装置的冗余区块，以便在写入验证中检测出工艺缺陷，并大幅降低存储器装置的失效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依据本发明一实施例所绘示的存储器装置的示意图。

图2是依据本发明一实施例所绘示的字线漏电的示意图。

图3是依据本发明一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。

图4是依据本发明另一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。

图5是依据本发明另一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。

图6是依据本发明另一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。

图7是依据本发明另一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。

图8是依据本发明另一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。

图9是依据本发明另一实施例所绘示的写入验证方法的流程图。