[发明专利]一种高介电常数的塑料薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201910395940.8 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110041619A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张自魁;潘世佳 | 申请（专利权）人： | 上海皓月新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/12 | 分类号： | C08L23/12;C08L67/00;C08L23/06;C08L27/18;C08L25/06;C08L69/00;C08K3/22;C08J5/18;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 朱九皋 |
| 地址： | 201506 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高介电常数 塑料薄膜 氧化钽 有机塑料薄膜 减小 塑料薄膜电容器 有机薄膜电容器 电容器 产品成本 安装空间 介电常数 可靠性能 纳米级 体积比 制造 制作 | ||
1.一种高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：它包括有机塑料及氧化钽；氧化钽以纳米级状态均匀分布于有机塑料中；氧化钽体积比含量为10％-70％。
2.根据权利要求1所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述的有机塑料为聚丙烯或聚乙烯或聚四氟乙烯或聚苯乙烯。
3.根据权利要求1所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述的有机塑料为聚酯或聚碳酸酯。
4.根据权利要求1所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述的有机塑料为聚丙烯，氧化钽体积比含量优选30％-50％。
5.根据权利要求1所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：它还包括相容剂。
6.一种如权利要求1或2或3或4所述的高介电常数的塑料薄膜的制造方法，其特征在于：纳米级氧化钽通过小尺寸效应、表面或界面效应作用通过机械共混均匀分布在有机塑料熔融物中，通过挤出成型形成氧化钽有机塑料粒子；然后氧化钽有机塑料粒子采用挤出成型工艺，在挤压成型并双向拉伸加工形成厚度均匀的氧化钽聚丙烯塑料薄膜。
7.一种如权利要求1或2或3或4或5所述的高介电常数的塑料薄膜的制造方法，其特征在于：纳米级氧化钽通过小尺寸效应、表面或界面效应作用与相容剂结合后再通过机械共混均匀分布在有机塑料熔融物中，通过挤出成型形成氧化钽有机塑料粒子；然后氧化钽有机塑料粒子采用挤出成型工艺，在挤压成型并双向拉伸加工形成厚度均匀的氧化钽聚丙烯塑料薄膜。
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