[发明专利]阵列基板的制作方法

说明书

本申请提出了一种阵列基板的制作方法。所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一膜层；在所述第一膜层上形成钝化层；在所述钝化层上形成第一金属层；在同一道蚀刻工艺中对所述第一膜层和所述第一金属层进行图案化处理，以形成有源层和源漏极金属。本申请通过采用同一道蚀刻工艺将有源层和源漏极金属进行图案化，简化了阵列基板的制作工艺，节约了产品的成本。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

显示面板是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。

习知，显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括有源层和源漏极金属。在阵列基板的制程中需对有源层和源漏极金属进行分别蚀刻，使得有源层和源漏极金属需各采用一道光罩工艺和蚀刻工艺以实现有源层和源漏极金属的图案化，导致阵列基板的制备工艺相对繁琐，且生产成本较高。

因此，目前亟需一种阵列基板的制作方法以解决上述问题。

发明内容

本申请提供了一种阵列基板的制作方法，以解决有源层和源漏极金属的图案化工艺复杂，成本较高的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供了一种阵列基板的制作方法，包括步骤：

S10、提供一基底；

S20、在所述基底上形成第一膜层；

S30、在所述第一膜层上形成钝化层；

S40、在所述钝化层上形成第一金属层；

S50、在同一道蚀刻工艺中对所述第一膜层和所述第一金属层进行图案化处理，以形成有源层和源漏极金属。

在本申请的制作方法中，所述第一膜层的制备材料包括铟镓锌氧化物。

在本申请的制作方法中，所述第一膜层的制备材料包括非晶硅。

在本申请的制作方法中，所述S30包括：在所述有源层上形成第二膜层，对所述第二膜层进行图案化处理，以形成钝化层。

在本申请的制作方法中，所述第二膜层的制备材料包括氮化硅和氧化硅中的其中一者。

在本申请的制作方法中，所述S50包括：

S501、在所述第一金属层上形成光阻层；

S502、采用目标光罩对所述光阻层进行曝光和显影，以形成第一光阻图案层；

S503、采用第一蚀刻液对所述第一膜层和所述第一金属层进行第一蚀刻，以形成第一图案膜层和第一金属图案层；

S504、采用灰化工艺对所述第一光阻图案层进行图案化处理以形成第二光阻图案层；

S505、采用第二蚀刻液对所述第一图案膜层和第一金属图案层进行第二蚀刻，以形成有源层和源漏极金属；

S506、剥离所述第二光阻图案层。

在本申请的制作方法中，所述第一蚀刻液和所述第二蚀刻液均包括含氟铜酸。

在本申请的制作方法中，所述目标光罩为半色调光罩。

在本申请的制作方法中，所述有源层包括两端的源漏极对应区以及源漏极对应区之间的沟道区，所述制作方法还包括：

S507、在氮气环境下，采用退火工艺对所述源漏极对应区进行导体化处理。

在本申请的制作方法中，所述基底包括：

衬底；