[发明专利]一种像素补偿电路及OLED显示装置有效
申请号: | 201910396424.7 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110164380B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王威;徐品全 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3266 | 分类号: | G09G3/3266;G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 补偿 电路 oled 显示装置 | ||
1.一种像素补偿电路,应用于一像素结构,所述像素结构包括一复位电压信号线以及多条扫描信号线;其特征在于,
所述像素补偿电路包括由同一条扫描信号线控制的一第四晶体管和一第七晶体管,同时,所述第四晶体管和第七晶体管均为一端接入所述复位电压信号线;
所述像素补偿电路还包括一存储电容以及一有机发光二极管,所述第四晶体管的另一端电连接所述存储电容,所述第七晶体管的另一端电连接所述有机发光二极管;
所述第四晶体管和所述第七晶体管的有源层的多晶硅走线相连接,且所述多晶硅走线在竖直方向上为2条走线,其中,定义所述竖直方向为与所述复位电压信号线的走线延伸方向垂直的方向;
所述第四晶体管和所述第七晶体管均为单栅极结构薄膜晶体管;或所述第四晶体管和所述第七晶体管至少其中之一为双栅极晶体管或多栅极晶体管,所述第四晶体管和所述第七晶体管至少共用一部分有源层。
2.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述扫描信号线与所述复位电压信号线的走线延伸方向相同。
3.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述第四晶体管和所述第七晶体管的有源层采用同一层半导体材料形成。
4.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,
所述第四晶体管和所述第七晶体管栅极均接入一第n-1行扫描信号线,n为大于1的正整数;
所述第四晶体管的漏极接入所述复位电压信号线,其源极电连接所述存储电容的下极板,所述存储电容的上极板接入一驱动电压信号线;
所述第七晶体管的漏极接入所述复位电压信号线,其源极电连接所述有机发光二极管的阳极,所述有机发光二极管的阴极接入一公共接地电压信号线。
5.如权利要求4所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素结构还包括多条发光控制信号线,所述像素补偿电路还包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第五晶体管以及一第六晶体管;
所述第一晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管的栅极均接入一第n行发光控制信号线,所述第二晶体管和所述第三晶体管的栅极均接入一第n行扫描信号线;
所述第二晶体管和所述第五晶体管的源极共同连接到所述第一晶体管的漏极,所述第一晶体管和所述第三晶体管的源极共同连接到所述第六晶体管的漏极;所述第二晶体管的漏极接入一数据信号线;
所述第三晶体管漏极接入所述第n行发光控制信号线;
所述第五晶体管的漏极接入所述驱动电压信号线;
所述第六晶体管的源极电连接所述有机发光二极管的阳极。
6.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括至少一像素结构,以及应用于所述像素结构的像素补偿电路,所述像素补偿电路采用如权利要求1-5任意一项所述的像素补偿电路。
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