[发明专利]含电容背板构造

权利要求书

1.一种含电容背板构造，其特征在于：包括：

一基板；

一第一导电膜，设置在所述基板上；

一第二导电件，具有两个相互连接的部分，所述第二导电件的一部分与所述第一导电膜间隔设置，所述第二导电件的另一部分连接所述第一导电膜；

一第三导电膜，分别与所述第一导电膜及所述所述第二导电件间隔设置；

一第四导电件，连接所述第三导电膜；及

一第五导电件，具有两个相互连接的部分，所述第五导电件的一部分连接所述第四导电件，所述第五导电件的另一部分与所述第二导电件间隔设置；

其中所述第三导电膜绝缘地设置在所述第一导电膜与所述第二导电件之间，所述第二导电件绝缘地设置在所述第三导电膜、所述第四导电件与所述第五导电件之间。

2.如权利要求1所述的含电容背板构造，其特征在于：所述第一导电膜在所述基板上的正投影、所述第二导电件在所述基板上的正投影、所述第三导电膜在所述基板上的正投影与所述第五导电件在所述基板上的正投影局部重叠。

3.如权利要求1所述的含电容背板构造，其特征在于：所述含电容背板构造被设置在一低温多晶硅背板，所述低温多晶硅背板含有至少一有源矩阵有机发光二极管。

4.如权利要求3所述的含电容背板构造，其特征在于：所述低温多晶硅背板含有N型或P型掺杂的低温多晶硅。

5.如权利要求1所述的含电容背板构造，其特征在于：包括：

一遮光金属膜被配置为所述第一导电膜，设置在所述基板上；

一缓冲阻挡层，覆盖所述基板及所述遮光金属膜，所述缓冲阻挡层设有一第一通孔，所述第一通孔连通所述遮光金属膜；

一氧化铟镓锌膜被配置为所述第三导电膜，设置在所述缓冲阻挡层上，所述氧化铟镓锌膜在所述基板上的正投影与所述遮光金属膜在所述基板上的正投影局部重叠；

一层间绝缘层，覆盖所述氧化铟镓锌膜及所述缓冲阻挡层，所述层间绝缘层设有一第二通孔及一第三通孔，所述第二通孔连通所述氧化铟镓锌膜，所述第三通孔连通所述第一通孔；

一金属接点被配置为所述第四导电件，设置在所述层间绝缘层上，并经由所述第二通孔电性连接所述氧化铟镓锌膜；

一金属隔膜被配置为所述第二导电件，设置在所述层间绝缘层上，并经由所述第三通孔及所述第一通孔电性连接所述遮光金属膜，所述金属隔膜在所述基板上的正投影与所述氧化铟镓锌膜在所述基板上的正投影局部重叠；

一钝化层，覆盖所述层间绝缘层、所述金属接点及所述金属隔膜，所述钝化层设有一第四通孔，所述第四通孔连通所述金属接点；

一平坦层，设置在所述钝化层上，所述平坦层设有一第五通孔及一第六通孔，所述第五通孔连通所述第四通孔，所述第六通孔位于所述金属隔膜上方；及

一第一透明导电膜被配置为所述第五导电件，从所述第五通孔经由所述第四通孔及所述平坦层的局部表面延伸到所述第六通孔，并电性连接所述金属接点。

6.如权利要求5所述的含电容背板构造，其特征在于：所述层间绝缘层内具有至少一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

一氧化铟镓锌层，设置在所述缓冲阻挡层上；

一栅极绝缘层，设置在所述氧化铟镓锌层上；及

一栅极金属层，设置在所述栅极绝缘层上。

7.如权利要求6所述的含电容背板构造，其特征在于：所述层间绝缘层覆盖所述氧化铟镓锌层、所述栅极绝缘层及所述栅极金属层，所述层间绝缘层设有一第七通孔及一第八通孔，所述第七通孔及所述第八通孔连通位于所述栅极绝缘层两侧的所述氧化铟镓锌层。

8.如权利要求7所述的含电容背板构造，其特征在于：还包括二金属电极，设置在所述层间绝缘层上，并经由所述第七通孔及所述第八通孔电性连接位于所述栅极绝缘层两侧的所述氧化铟镓锌层。

9.如权利要求8所述的含电容背板构造，其特征在于：所述钝化层设有一第九通孔，所述第九通孔连通所述二金属电极中的一个，所述平坦层设有一第十通孔，所述第十通孔连通所述第九通孔。

10.如权利要求9所述的含电容背板构造，其特征在于：还包括一第二透明导电膜，从所述第九通孔及所述第十通孔延伸到所述平坦层的局部表面，并电性连接所述二金属电极中的一个。