[发明专利]一种晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴在审
申请号: | 201910397869.7 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN111952209A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 彭博;李檀 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 颗粒 清洗 喷嘴 | ||
1.一种晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:包括喷嘴内芯(1)、喷嘴外壳(8)及喷嘴内塞(11),其中喷嘴内芯(1)上开设有液体通道(6),液体由该液体通道(6)的一端进入、由位于另一端的喷液口(12)喷出;所述喷嘴内芯(1)的一端插设于喷嘴外壳(8)中,该喷嘴外壳(8)的一端与所述喷嘴内芯(1)连接,另一端内部连接有喷嘴内塞(11),所述喷嘴内塞(11)位于喷嘴外壳(8)与喷嘴内芯(1)之间;所述喷嘴内塞(11)和喷嘴内芯(1)之间以及喷嘴内塞(11)和喷嘴外壳(8)之间均留有供惰性气体流通的空间,该喷嘴外壳(8)上分别开设有与喷嘴内塞(11)和喷嘴内芯(1)之间的空间以及与喷嘴内塞(11)和喷嘴外壳(8)之间的空间相连通的惰性气体进气口,所述喷嘴内塞(11)上开设有布风孔(7),喷嘴内塞(11)和喷嘴内芯(1)之间的空间与喷嘴内塞(11)和喷嘴外壳(8)之间的空间通过该布风孔(7)连通,喷嘴内塞(11)和喷嘴外壳(8)之间的空间内的惰性气体通过所述布风孔(7)呈旋转状向喷嘴内塞(11)和喷嘴内芯(1)之间的空间内进气,与喷嘴内塞(11)和喷嘴内芯(1)之间的空间内的惰性气体汇合后,由所述喷液口(12)外围的惰性气体出口(13)喷出,对由所述喷液口(12)喷出的液体雾化,晶圆表面通过被雾化后的液体进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述喷嘴内塞(11)上的布风孔(7)为多个,沿圆周方向均布,每个布风孔(7)均呈“L”形,该“L”形的竖边沿所述喷嘴内塞(11)的轴向开设,“L”形的横边沿喷嘴内塞(11)的径向开设,且该“L”形的横边倾斜于“L”形的竖边。
3.根据权利要求2所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:各所述布风孔(7)的“L”形横边的倾斜方向均相同,所述喷嘴内塞(11)和喷嘴外壳(8)之间的空间内的惰性气体以顺时针旋转或逆时针旋转向喷嘴内塞(11)和喷嘴内芯(1)之间的空间内进气。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述喷嘴内塞(11)与喷嘴内芯(1)之间的空间的上部为惰性气体垂直加速区间(9)、下部为位于布风孔(7)内侧的汇合空间(14),中间为过渡段。
5.根据权利要求4所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述惰性气体垂直加速区间(9)及汇合空间(14)均为圆柱状,所述过渡段为锥台状,该汇合空间(14)的内径大于所述惰性气体垂直加速区间(9)的内径;所述惰性气体出口(13)位于汇合空间(14)的下方,并环绕于所述喷液口(12)的外围。
6.根据权利要求4所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述喷嘴外壳(8)上沿径向开设有惰性气体进气口A(3),该惰性气体进气口A(3)与所述惰性气体垂直加速区间(9)的上部相连通。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述喷嘴内塞(11)的一端与喷嘴外壳(8)另一端的内部螺纹连接或过盈配合,该喷嘴内塞(11)的另一端沿圆周方向均布有多个布风孔(7)。
8.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述喷嘴外壳(8)与喷嘴内塞(11)之间的空间为惰性气体旋转环腔(5),该惰性气体旋转环腔(5)环绕于所述喷嘴内塞(11)的外围;所述喷嘴外壳(8)上沿径向开设有惰性气体进气口B(10),该惰性气体进气口B(10)与所述惰性气体旋转环腔(5)相连通。
9.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述喷嘴内芯(1)可为一体结构或分为上下两部分,当为一体结构时,与所述喷嘴外壳(8)螺纹连接或过盈配合;当所述喷嘴内芯(1)分为上下两部分时,每部分与所述喷嘴外壳(8)之间为螺纹连接或过盈配合。
10.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴,其特征在于:所述单旋喷嘴(14)喷出端的端部为锥形结构,所述惰性气体出口(13)也呈锥形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造