[发明专利]用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片

权利要求书

1.一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100），所述方法（100）包括：

在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）；

在所述宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层；以及

沿着拆分区域拆分（130）所述宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括所述非单晶支撑层（320）的剩余晶片。

2.根据权利要求1所述的方法（100），

其中所述非单晶支撑层（320）的热膨胀系数与所述宽带隙半导体晶片的热膨胀系数相差达所述宽带隙半导体晶片的热膨胀系数的至多10％。

3.根据权利要求1或2所述的方法（100），

其中以至少50 μm/小时的沉积速率来沉积（110）所述非单晶支撑层（320）。

4.根据前述权利要求之一所述的方法（100），

其中所述非单晶支撑层（320）是多晶碳化硅层或钼层。

5.根据前述权利要求之一所述的方法（100），

其中包括所述非单晶支撑层（320）的剩余晶片的总厚度为至少200 μm且至多1500 μm。

6.根据前述权利要求之一所述的方法（100），

其中在沉积（110）所述非单晶支撑层（320）期间，保护层位于所述宽带隙半导体晶片的前侧处。

7.根据前述权利要求之一所述的方法（100），进一步包括：

在所述剩余晶片的非单晶支撑层（320）上沉积另外的非单晶支撑层。

8.根据权利要求7所述的方法（100），

其中所述另外的非单晶支撑层的材料与所述非单晶支撑层（320）的材料不同。

9.根据权利要求7或8所述的方法（100），

其中包括所述非单晶支撑层（320）和所述另外的非单晶支撑层的剩余晶片的厚度与在拆分（130）所述宽带隙半导体晶片之前的宽带隙半导体晶片的厚度相差至多300 μm。

10.根据权利要求7至9之一所述的方法（100），

其中所述另外的非单晶支撑层具有的厚度是另外的器件晶片的总厚度的至少90％且至多110％。

11.根据前述权利要求之一所述的方法（100），进一步包括：

在所述剩余晶片的前侧处沉积另外的外延层；以及

沿着另外的拆分区域拆分所述剩余晶片，以获得包括所述另外的外延层的另外的器件晶片和包括所述非单晶支撑层（320）的另外的剩余晶片。

12.根据前述权利要求之一所述的方法（100），进一步包括：

在沉积（110）所述非单晶支撑层（320）之后，在所述宽带隙半导体晶片中形成宽带隙半导体器件的掺杂区域。

13.根据前述权利要求之一所述的方法（100），进一步包括：

在沉积（110）所述非单晶支撑层之后，在所述宽带隙半导体晶片的前侧处形成所述宽带隙半导体器件的金属喷镀结构。

14.根据前述权利要求之一所述的方法（100），

其中在拆分（130）之前，在所述宽带隙半导体晶片的前侧处形成晶体管的栅极沟槽和栅电极中的至少一个。

15.根据前述权利要求之一所述的方法（100），

其中在拆分（130）之后，在至多1000 ℃的温度下处理所述器件晶片。

16.根据前述权利要求之一所述的方法（100），

其中所述宽带隙半导体晶片是碳化硅晶片。