[发明专利]形成空气间隙的方法在审
| 申请号： | 201910399070.1 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110148584A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 何炳奎;曹秀亮;邹永金;吴继科 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空气间隙 功能层 互连线 掩膜层 沉积介电层 高聚物杂质 介电层 衬底 灰化 刻蚀 形貌 栅极结构 插塞 去除 残留 平衡 | ||
1.一种形成空气间隙的方法，其特征在于，步骤包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构的功能层及位于所述功能层中的第一插塞；
在所述功能层上形成互连线，所述互连线与所述第一插塞电性连接；
形成一掩膜层，所述掩膜层覆盖所述互连线及所述功能层；
干法刻蚀所述掩膜层及部分厚度的所述功能层以形成沟槽；
执行灰化工艺；以及，
沉积介电层，所述介电层填充所述沟槽且覆盖所述掩膜层，其中，位于所述沟槽内的所述介电层中形成空气间隙。
2.根据权利要求1所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，利用Cl2及BCl3刻蚀所述掩膜层及部分厚度的所述功能层。
3.根据权利要求1所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，所述栅极结构上方的所述功能层的厚度介于之间，所述沟槽的深度大于所述沟槽的深宽比大于2。
4.根据权利要求1所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，执行灰化工艺的时长介于30s～600s。
5.根据权利要求4所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，利用含氧气体执行灰化工艺。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，执行灰化工艺之后、沉积介电层之前，还包括：
执行湿法清洗工艺。
7.根据权利要求6所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺的时长介于18min～22min。
8.根据权利要求7所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，利用碱性有机溶剂执行湿法清洗工艺。
9.根据权利要求1所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，沉积介电层之后，还包括：
形成与所述互连线电性连接的第二插塞，所述第二插塞位于所述介电层中。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的形成空气间隙的方法，其特征在于，所述功能层包括依次形成的氮化硅层、氧化硅层及碳掺杂氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
