[发明专利]一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备

说明书

本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备。基板后处理设备包括基板清洗模块和基板干燥模块，基板干燥模块包括存储装置。存储装置包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路，存储主体具有分别与管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口；第一管路用于向存储主体内通入气体以增加存储主体内的压力；第二管路气密连接于压力检测部；第三管路气密连接于处理液供给管和排出管，供给管和排出管分别设置有独立的开关组件，使得可以通过第三管路向存储主体内加入处理液或从存储主体排出处理液。

技术领域

本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，尤其涉及一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成基板表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除基板表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的基板表面。

抛光后清洗的目的是去除基板表面颗粒和各种化学物质，并在清洗过程中避免对表面和内部结构的腐蚀和破坏，抛光后清洗有湿法和干法之分，湿法清洗就是在溶液环境下清洗，比如清洗剂浸泡、机械擦洗、湿法化学清洗等。

基板经过清洗后，基板表面会留存很多水或清洗液的残留物。由于这些水或清洗液的残留物中溶有杂质，如果让这些残留液体自行蒸发干燥，这些杂质就会重新粘结到基板的表面上，造成污染，甚至破坏晶片的结构。为此，需要对基板表面进行干燥处理，以除去这些残留液体。

例如专利CN104956467B公开了一种用于化学机械平坦化的基板清洗设备，其中清洗部分包括并列的数个清洗模块和烘干模块以使基板依次通过，基板竖直放入清洗模块的腔室中进行刷洗，刷洗完毕后再送入烘干模块进行烘干。

基板干燥作为后处理的最后一道工艺，对保证基板表面质量和加工成品率起着至关重要的作用。业内普遍使用的干燥技术是异丙醇(IPA，Iso-Propyl Alcohol)蒸气干燥，其利用异丙醇蒸气对水产生的表面张力梯度，诱导强烈的马兰戈尼效应，从而促使基板表面吸附的水膜剥离。

在使用IPA设备时，需要从供给源向IPA储液罐加入异丙醇液体，由于异丙醇具有高挥发性、容易汽化，使其存储状态不稳定，罐内气压不稳，甚至剧烈变化，存在安全隐患，还可能发生爆炸等安全事故。因此，如何安全并高效地利用和存储异丙醇成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例的第一方面提供了一种基板处理液的存储装置，包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路，存储主体具有分别与管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口；第一管路用于向存储主体内通入气体以增加存储主体内的压力；第二管路气密连接于压力检测部；第三管路气密连接于处理液供给管和排出管，供给管和排出管分别设置有独立的开关组件，使得可以通过第三管路向存储主体内加入处理液或从存储主体排出处理液。

在一个实施例中，第一管路气密连接于加压管和泄压管，加压管用于向存储主体内通入气体，泄压管用于从存储主体内排出气体。

在一个实施例中，加压管连接分流管，分流管和排出管共接于汽化器，以将气体和处理液混合并汽化排出。

在一个实施例中，第三管路具有位于存储主体内部的延伸部，延伸部的底端距存储主体内底面的距离小于预设值。

在一个实施例中，第三连接口位于存储主体侧壁的下部。

在一个实施例中，设于供给管的开关组件包括单向阀，以使处理液通过该供给管仅能流入存储主体。