[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅电极的图形、有源层的图形、源电极和漏电极的图形，其特征在于，在形成所述有源层的图形之前，还包括：

形成导向结构；

在所述导向结构至少一侧形成至少一个催化剂颗粒的图形；其中，所述催化剂颗粒与硅具有温度范围在200℃～1000℃共熔点；

形成所述第一有源层的图形，具体包括：

形成覆盖所述催化剂颗粒和所述导向结构的非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行退火，使非晶硅由所述催化剂颗粒开始沿所述导向结构的延伸方向生长形成硅基纳米线；

去除所述催化剂颗粒，并至少保留所述硅基纳米线，形成所述有源层的图形。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成多个导向结构，所述多个导向结构中的任一个均沿第一方向延伸，所述多个导向结构垂直于所述第一方向的截面包括凹凸结构，且所述凹凸结构的每一凹槽内形成有一个所述催化剂颗粒。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成多个导向结构，所述多个导向结构中的任一个均沿第一方向延伸，所述多个导向结构垂直于所述第一方向的截面为包括至少一个台阶的阶梯结构，且所述阶梯结构的每一台阶上形成有一个所述催化剂颗粒。

4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在形成所述栅电极的图形之后形成所述有源层的图形；

形成所述栅电极的图形之后，在形成所述有源层的图形之前，还包括：形成栅极绝缘层；

形成多个所述导向结构，具体包括：对所述栅极绝缘层进行构图，形成所述导向结构。

5.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在形成所述栅电极的图形之后形成所述有源层的图形；

形成所述栅电极的图形之后，在形成第一有源层的图形之前，还包括：形成栅极绝缘层；

形成多个所述导向结构，具体包括：所述栅电极的图形和覆盖于所述栅电极上的所述栅极绝缘层构成所述导向结构，其中，所述栅电极垂直于所述第一方向的截面包括凹凸结构，或者，所述栅电极垂直于所述第一方向的截面包括至少一个台阶的阶梯结构。

6.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在形成所述栅电极的图形之前形成所述有源层的图形；

形成多个所述导向结构，具体包括：在所述衬底基板上形成介电层，对所述介电层进行构图，形成所述导向结构。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备；其中，

在所述薄膜晶体管中，所述有源层下方设置有至少一个沿第一方向延伸的导向结构，所述有源层的材料为硅基纳米线，且所述硅基纳米线的延伸方向与所述导向结构的延伸方向相同，且所述导向结构沿所述第一方向的长度大于所述硅基纳米线沿所述方向的长度。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备至少一个薄膜晶体管；还包括：在所述衬底基板上形成至少一个PN结。