[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：在检测到所述非易失存储器中存在短路的字线的情况下，确定所述短路的字线的数量，以及所述短路的字线所对应的目标存储块；按照将预设数量的相邻字线合并为一个目标字线的方式，将所述目标存储块中的字线合并为多个目标字线；其中，所述预设数量大于或等于所述短路的字线的数量，且所述短路的字线包括在所述多个目标字线的其中一个内；在对所述目标存储块进行预设处理时，以所述目标字线为单位字线进行处理。本发明实施例将原本舍弃的坏的Block进行字线合并后，得到可以作为存储空间使用的目标存储块，因此提升了非易失存储器的可访问空间。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器处理方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件得到较多发展。示例的，以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND闪存通过对Memorycell(存储单元)进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。在非易失存储器的生产和使用过程中，可能因为生产工艺或其他原因出现相邻的字线(Word Line，WL)短路的现象(WL-WL short)，由于NAND Flash的读写操作是基于WL的，该短路现象导致读写发生错误。

现有技术中，若非易失存储器中出现WL-WL short，则将发生短路的字线所对应的整块Block(存储块)标记为坏块，示例的，如图1所示，示出了WL2与WL3发生短路的情况，则现有技术中会将WL2与WL3所在的Block标记位坏块，在后续对非易失存储器进行读、写、擦除等操作时，该坏块就被闲置，不能用于读写等操作。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：将发生字线短路的Block整块弃用，会减少非易失存储器的可访问空间。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器处理方法及装置，以提升非易失存储器的可访问空间。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器处理方法，所述方法包括：

在检测到所述非易失存储器中存在短路的字线的情况下，确定所述短路的字线的数量，以及所述短路的字线所对应的目标存储块；

按照将预设数量的相邻字线合并为一个目标字线的方式，将所述目标存储块中的字线合并为多个目标字线；其中，所述预设数量大于或等于所述短路的字线的数量，且所述短路的字线包括在所述多个目标字线的其中一个内；

在对所述目标存储块进行预设处理时，以所述目标字线为单位字线进行处理。

可选的，所述在检测到所述非易失存储器中存在短路的字线的情况下，确定所述短路的字线的数量，以及所述短路的字线所对应的目标存储块之前，还包括：

检测所述非易失存储器中是否存在短路的字线。

可选的，所述检测所述非易失存储器中是否存在短路的字线，包括：

对于所述非易失存储器中相邻的第一字线和第二字线，在所述第一字线施加第一电压，且，在所述第二字线施加第二电压；其中所述第一电压与所述第二电压之间的电压差值大于第一预设电压值；

在预设时间内，判断所述第一字线的第一电压的下降值是否大于第二预设电压值，或，所述第二字线的第二电压的下降值是否大于所述第二预设电压值；

在所述第一字线的第一电压的下降值大于所述第二预设电压值，或，所述第二字线的第二电压的下降值大于所述第二预设电压值的情况下，判定所述第一字线和所述第二字线为短路的字线。

可选的，还包括：